Документация
NPN кремниевый фототранзистор 5мм/730-1120нм/Ipce=0.63-3,2mA/200mW/25°
У поставщика
ПроизводительAMS-OSRAM
У поставщиков
306 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:306 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 18 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 40,93 |
| от 49 | 37,47 |
| от 98 | 34,63 |
| от 195 | 32,50 |
| от 389 | 30,90 |
Описание
NPN кремниевый фототранзистор от AMS-OSRAM в стандартном корпусе T1 3/4 (5 мм). Работает в инфракрасном диапазоне 730–1120 нм с чувствительностью до 3,2 мА при мощности 200 мВт. Подходит для оптических датчиков, детекторов света и систем промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | T1 3/4 (5mm) |
| Примечание | Q62702P1193 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Описание (англ.) | Phototransistor IR Chip Silicon 870nm 2-Pin T-1 3/4 |