Документация
NPN кремниевый фототранзистор 5мм/730-1120нм/Ipce=0.63-3,2mA/200mW/25°
У поставщика
Производительams-Osram
У поставщиков
3 081 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 081 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 44,44 |
| от 79 | 41,07 |
| от 157 | 38,39 |
| от 314 | 36,05 |
| от 627 | 34,49 |
Описание
NPN кремниевый фототранзистор от AMS-OSRAM в стандартном корпусе T1 3/4 (5 мм). Работает в инфракрасном диапазоне 730–1120 нм с чувствительностью до 3,2 мА при мощности 200 мВт. Подходит для оптических датчиков, детекторов света и систем промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | NPN Silicon Phototransistor |
| Корпус | T1 3/4 (5mm) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Chip area | 0.55x0.55mm |
| Компонент | SFH 300 |
| Время спада | 10µs |
| Время нарастания | 10µs |
| Размеры | 4.5x5.9mm |
| Half angle | ±25° |
| Длина вывода | 25.2mm |
| Ёмкость | 7.5pF |
| Dark current | 1nA |
| Spectral range | 450-1100nm |
| Пиковая длина волны | 880nm |
| Dark current max | 50nA |
| Photocurrent max | 1250µA |
| Photocurrent min | 630µA |
| Photocurrent typ | 3000µA |
| Ток коллектора | 50mA |
| Тепловое сопротивление | 375K/W |
| Темп. хранения | -40 to 100°C |
| Примечание | Q62702P1193 |
| Раб. температура | -40 to 100°C |
| Radiant sensitive area | 0.11mm2 |
| Collector surge current | 100mA |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 35V |
| Emitter collector voltage | 7V |
| Описание (англ.) | Phototransistor IR Chip Silicon 870nm 2-Pin T-1 3/4 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130mV |
Заметили ошибку в описании или параметрах?