Документация
NPN кремниевый фототранзистор 5мм/730-1120нм/Ipce=1-3,2mA/200mW/25°
У поставщика
Производительams-Osram
У поставщиков
535 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:535 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 46,77 |
| от 44 | 42,92 |
| от 87 | 39,77 |
| от 174 | 37,40 |
| от 347 | 35,63 |
Описание
NPN кремниевый фототранзистор от AMS-OSRAM в стандартном корпусе T1 3/4 (5 мм). Работает в диапазоне длин волн 730–1120 нм с типовой чувствительностью на 870 нм, ток коллектора 1–3,2 мА и мощностью до 200 мВт. Подходит для детекции инфракрасного излучения в системах автоматики и датчиках.
Технические характеристики
| Мощность, Вт | Общая рассеиваемая мощность: 200mW |
| Ток, А | Dark current max: 50nA; Dark current typ: 1nA; Ток коллектора: 50mA; Collector surge current: 100mA |
| Корпус | T1 3/4 (5mm) |
| Напряжение, В | Напряжение ЭСР: 2000V; Напряжение коллектор-эмиттер: 35V; Emitter collector voltage: 7V |
| Размеры | Chip area: 0.55mm x 0.55mm; Длина вывода: 24.2-25.2mm; Высота корпуса: 7.5-7.8mm; Диаметр корпуса: 5.5-5.9mm; Radiant sensitive area: 0.11mm² |
| Half angle | ±25° |
| Длина волны | Spectral range of sensitivity: 730 ... 1120nm; Wavelength of max sensitivity: 880nm |
| Ёмкость | Collector emitter capacitance typ: 7.5pF |
| Описание | Silicon NPN Phototransistor, 5mm Radial (T1 3/4), Epoxy |
| Температура | Диапазон раб. и темп. хранения: -40 ... 100°C |
| Photocurrent | Group -3 max: 2000µA; Group -3 min: 1000µA; Test condition: λ=950nm, E=0.5mW/cm², V_CE=5V |
| Код заказа | Q62702P3585 |
| Название компонента | SFH 300 FA-3/4 |
| Rise fall time | Typ: 10µs; Group -3: 10µs |
| Тепловое сопротивление | 375 K/W |
| Примечание | Q62702P3585 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Описание (англ.) | Phototransistor IR Chip Silicon 870nm 2-Pin T-1 3/4 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Group -3: 140mV |
Заметили ошибку в описании или параметрах?