Документация
NPN кремниевый фототранзистор 5мм/730-1120нм/Ipce=1-3,2mA/200mW/25°
У поставщика
Производительams-Osram
У поставщиков
535 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:535 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 45,23 |
| от 47 | 41,43 |
| от 94 | 38,33 |
| от 188 | 36,00 |
| от 375 | 34,25 |
Описание
NPN кремниевый фототранзистор от AMS-OSRAM в стандартном корпусе T1 3/4 (5 мм). Работает в диапазоне длин волн 730–1120 нм с типовой чувствительностью на 870 нм, ток коллектора 1–3,2 мА и мощностью до 200 мВт. Подходит для детекции инфракрасного излучения в системах автоматики и датчиках.
Технические характеристики
| Корпус | T1 3/4 (5mm) |
| Примечание | Q62702P3585 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Описание (англ.) | Phototransistor IR Chip Silicon 870nm 2-Pin T-1 3/4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?