Документация
SEP8507-001, ИК диод 935нм 135гр 0.4мВт, 2.55*1.63*3.56мм (для фототранзистора SDP8407)
У поставщика
ПроизводительHoneywell
У поставщиков
800 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт83,03 ₽
Сумма415,15 ₽
В наличии800 шт
от 5 штюрлицам и ИП
5 шт · Склад 12 · 415,15 ₽
Описание
ИК диод Honeywell SEP8507-001 — инфракрасный излучатель на основе GaAs с длиной волны 935 нм. Компонент выполнен в красном пластиковом корпусе для монтажа в отверстия, имеет угол излучения 135° и типовую мощность 0,4 мВт. Оптимально сочетается с фототранзистором SDP8407. Применяется в системах оптической связи, датчиках приближения и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | Infrared (IR) |
| Тип | GaAs Infrared Emitting Diode |
| Корпус | End-emitting red plastic package |
| Снижение характеристик | 0.66mW/°C above 25°C |
| Тип монтажа | THT |
| Длина волны | 935nm |
| Угол луча | 135° |
| Размеры | 2.55mm x 1.63mm x 3.56mm |
| Длина волны | 935nm |
| Ориентация | Top View |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Угол обзора | 135° |
| Корпус | Radial |
| Описание | Infrared Emitters 135deg, End-Emitting 0.7 us Rise and Fall |
| Макс. прямой ток | 60mA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100mW |
| Radiant power typical | 0.4mW |
| Температура пайки | 240°C (5 sec) |
| Прямое напряжение типовое | 1.2V (at 20mA) |
| Matched phototransistor | SDP8407 |
| Диап. темп. хр. | -40°C to 85°C |
| Длина волны,нм | 935 |
| Диап. раб. темп. | -40°C to 85°C |
| Тип. прямое напряжение, В | 1.5V |
| Макс. прямой ток (If) | 60mA |
| Мощность излучения P,мВт | 0.4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?