Документация
SEP8507-001, ИК диод 935нм 135гр 0.4мВт, 2.55*1.63*3.56мм (для фототранзистора SDP8407)
У поставщика
ПроизводительHoneywell
У поставщиков
810 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:810 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 5 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8,28 |
| от 50 | 7,29 |
| от 500 | 6,49 |
Технические характеристики
| Тип | GaAs Infrared Emitting Diode |
| Корпус | End-emitting red plastic package |
| Снижение характеристик | 0.66mW/°C above 25°C |
| Тип монтажа | THT |
| Угол луча | 135° |
| Размеры | 2.55mm x 1.63mm x 3.56mm |
| Длина волны | 935nm |
| Макс. прямой ток | 60mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100mW |
| Radiant power typical | 0.4mW |
| Температура пайки | 240°C (5 sec) |
| Прямое напряжение типовое | 1.2V (at 20mA) |
| Matched phototransistor | SDP8407 |
| Диап. темп. хр. | -40°C to 85°C |
| Длина волны,нм | 935 |
| Диап. раб. темп. | -40°C to 85°C |
| Мощность излучения P,мВт | 0.4 |