Документация
Диод выпрямительный общего применения 1000В 3А
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
1 399 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт15,44 ₽
Сумма679,36 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 399 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 44 штюрлицам и ИП
от 84 — 14,46 ₽ (−6%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 679,36 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 620,64 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
44 шт · Склад 13 · 679,36 ₽
Описание
Диод выпрямительный общего применения от ON Semiconductor. Рассчитан на обратное напряжение до 1000 В и прямой ток 3 А, выпускается в компактном корпусе SMC (DO-214AB). Подходит для блоков питания и цепей защиты в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | General Purpose Rectifier Diode |
| Корпус | SMC (DO-214AB) |
| Упаковка | Tape&Reel: 3Kpcs/Reel |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | S3M |
| Размеры | A: 2.00mm to 2.62mm; B: 2.80mm to 3.20mm; C: 0.15mm to 0.31mm; D: 5.59mm to 6.22mm; E: 7.75mm to 8.13mm; F: 6.60mm to 7.11mm; G: 5.59mm to 6.22mm; H: 5.59mm to 6.22mm |
| Описание | Silicon Rectifier |
| Маркировка | S3M |
| Соотв. RoHS | Да |
| Бессвинцовое покрытие | Да |
| Рассеиваемая мощность | 2.6W |
| Опция без галогенов | Yes (-HF suffix) |
| Высокотемпературная пайка | 260°C в течение 10 секунд на выводах |
| Макс. RMS напряжение | 700V |
| Средний прямой ток | 3.0A |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Epoxy flamability rating | UL 94 V-0 |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Условия измерения емкости | 1.0MHz, VR = 4.0V |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Имп. прямой ток | 100A |
| Макс. DC блокирующее напряжение | 1000V |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Рекомендуемая контактная площадка | Pad width: 0.190 inch; Pad length: 0.125 inch; Pad spacing: 0.070 inch |
| Surge current test condition | 8.3ms, half sine |
| Тип. емкость перехода | 60pF |
| Описание (англ.) | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB |
| Условия испытания прямого тока | TL = 105°C |
| Условия измерения прямого напряжения | IF = 3.0A; TJ = 25°C |
| Макс. обратный постоянный ток при 25 °C | 10µA |
| Макс. обратный ток при 125 °C | 250µA |
| Макс. мгновенное прямое напряжение | 1.20V |
| Макс. повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1000V |
| Макс. тепловое сопротивление переход-вывод | 13°C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-среда | 47°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?