Документация
S1223-01, фотодиод PIN Si 320-110нм 0.52А/Вт 20МГц ТО-5
У поставщика
ПроизводительHamamatsu Photo
У поставщиков
1 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 2 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 879,75 |
| от 2 | 842,36 |
Описание
Фотодиод Hamamatsu Photo S1223-01 выполнен по технологии PIN на кремнии. Компонент рассчитан на обратное напряжение до 30 В, имеет спектральный диапазон 320–1100 нм и чувствительность 0.52 А/Вт на длине волны 780 нм. Корпус ТО-5 с боросиликатным стеклом обеспечивает надежную работу в измерительных приборах и системах оптической связи.
Технические характеристики
| Тип | Si PIN photodiode |
| Корпус | TO-5 |
| Тип монтажа | THT |
| Шаг выводов | 5.08 mm |
| Диаметр вывода | 0.45 mm |
| Высота корпуса | 8.2 mm |
| Window material | Borosilicate glass |
| Частота среза | 20 MHz (typ) |
| Диаметр корпуса | 9.5 mm |
| Dark current at 20V | 0.2 nA (typ), 10 nA (max) |
| Макс. обратное напряжение | 30 V |
| Terminal capacitance | 20 pF (typ) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 100 mW |
| Noise equivalent power | 1.3e-14 W/Hz^(1/2) |
| Spectral response range | 320 to 1100 nm |
| Photosensitive area size | 3.6 x 3.6 mm |
| Photosensitivity at 660nm | 0.45 A/W |
| Photosensitivity at 780nm | 0.52 A/W |
| Photosensitivity at 830nm | 0.54 A/W |
| Photosensitivity at 960nm | 0.6 A/W |
| Диап. темп. хр. | -55 to +125 °C |
| Диап. раб. темп. | -40 to +100 °C |
| Peak sensitivity wavelength | 960 nm |
| Effective photosensitive area | 13 mm² |
| Short circuit current at 100lx | 13 µA (typ) |
| Dark current temperature coefficient | 1.15 times/°C |
| Макс. спектральная чувствительность, нм | 110 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?