Документация
RSM1701K0W, N-канал SiC транзистор 1700В 5A TO-247-3 (=H1M170F1KD, C2M1000170D)
У поставщика
ПроизводительREASUNOS
У поставщиков
390 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:390 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 393,30 |
| от 50 | 354,76 |
Описание
N-канальный SiC MOSFET от REASUNOS на напряжение 1700 В и ток 5 А. Выполнен в корпусе TO-247-3 для монтажа в отверстия, рассеивает до 69 Вт. Подходит для импульсных источников питания и силовых преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel SiC Power MOSFET |
| Корпус | TO-247-3 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 22.0ns |
| Время нарастания | 9.4ns |
| Артикул | RSM1701K0W |
| Корпус | TO-247-3 |
| Вх. емкость | 186pF |
| Рассеиваемая мощность | 69W |
| Полный заряд затвора | 21.8nC |
| Coss stored energy | 6.2µJ |
| Выходная емкость | 12pF |
| Размеры упаковки | E: 1.27mm BSC; D2: 1.17mm; E1: 10.5mm; E2: 14.02mm; R1: 2.7mm; R2: 2.5mm; Ф1: 3.6mm; Ф2: 7.19mm; A max: 5.1mm; A min: 4.9mm; A nom: 5mm; D max: 21.1mm; D min: 20.9mm; D nom: 21mm; E max: 15.9mm; E min: 15.7mm; E nom: 15.8mm; L max: 20.02mm; L min: 19.82mm; L nom: 19.92mm; B max: 1.26mm; B min: 1.16mm; B nom: 1.2mm; C max: 0.66mm; C min: 0.58mm; C nom: 0.6mm; A1 max: 3.1mm; A1 min: 2.9mm; A1 nom: 3mm; A2 max: 2.41mm; A2 min: 2.31mm; A2 nom: 2.36mm; D1 max: 16.76mm; D1 min: 16.46mm; D1 nom: 16.56mm; L1 max: 2.08mm; L1 min: 1.88mm; L1 nom: 1.98mm; B1 max: 2.2mm; B1 min: 2.05mm; B2 max: 3.2mm; B2 min: 3.05mm; D1 max: 6.25mm; D1 min: 6.05mm; D1 nom: 6.15mm; D2 max: 2.4mm; D2 min: 2.2mm; D2 nom: 2.3mm; Theta max: 8°; Theta min: 0° |
| Время задержки включения | 5.2ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 13.2ns |
| Gate to drain charge | 7.3nC |
| Импульсный ток стока | 6A |
| Transconductance typ | 1.15S |
| Gate to source charge | 5.2nC |
| Время обратного восстановления | 25ns |
| Transconductance 150c | 1.30S |
| Напряжение затвор-исток макс. | -10/+25V |
| Заряд обратного восстановления | 15nC |
| Макс. напряжение сток-исток | 1700V |
| Internal gate resistance | 22Ω |
| Turn on switching energy | 48µJ |
| Тип. прямое напряжение диода | 4.2V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Turn off switching energy | 18µJ |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.0V |
| Длительный ток стока 25°C | 5A |
| Обратная проходная емкость | 1.6pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | 3.5A |
| Peak reverse recovery current | 2.8A |
| Diode forward voltage 150c typ | 3.9V |
| Макс. Rси вкл. | 1.3Ω |
| Drain source on resistance typ | 1.0Ω |
| Drain source on resistance 150c | 1.5Ω |
| Gate source leakage current max | 250nA |
| Gate source voltage operational | -5/+20V |
| Continuous diode forward current | 4A |
| Zero gate voltage drain current max | 100µA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 2.0°C/W |
| Thermal resistance junction to case typ | 1.8°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 69 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?