Документация
RS6N50D
У поставщика
ПроизводительREASUNOS
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 440 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:2 440 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 15,06 |
| от 264 | 13,06 |
| от 441 | 11,92 |
| от 740 | 11,02 |
| от 1 234 | 10,40 |
Описание
RS6N50D — силовой полевой транзистор (MOSFET) производства REASUNOS. Компонент с n-канальной структурой, предназначен для применения в импульсных источниках питания, схемах управления нагрузкой и преобразователях. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения, что обеспечивает эффективную работу в ключевых режимах. Выполнен в корпусе для поверхностного монтажа, подходит для компактных печатных узлов.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-252 |
| Упаковка | Tape & reel, 2500 pcs |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | RS6N50D |
| Tfall fall time | 23.5ns |
| Trise rise time | 7.8ns |
| Размеры упаковки | L: 6.00-6.20mm; T: 2.20-2.40mm; W: 6.50-6.70mm; L1: 0.80-1.20mm; L2: 0.60-1.00mm; L3: 9.70-10.30mm; L4: 1.30-1.70mm; L5: 5.20mm (ref); T1: 0.48-0.58mm; T2: 0.95-1.15mm; T3: 0.48-0.58mm; T4: 0.00-0.12mm; W1: 4.572mm (ref); W2: 0.6-0.8mm; W3: 0.68-0.88mm; W4: 5.3mm (ref) |
| Pd power dissipation | 75W |
| Полный заряд затвора Qg | 14.4nC |
| Входная емкость Ciss | 535pF |
| Выходная емкость Coss | 63pF |
| Idm pulsed drain current | 24A |
| Td on turn on delay time | 36ns |
| Qgs gate to source charge | 2.8nC |
| Время обратного восстановления | 460ns |
| Vsd diode forward voltage | 1.4V (max) |
| Ism maximum pulsed current | 24A |
| Td off turn off delay time | 80.5ns |
| Vgs gate to source voltage | ±30V |
| Igss gate to source leakage | 100nA (max) |
| Заряд обратного восстановления | 1.31µC |
| Is continuous source current | 6A |
| Vdss drain to source voltage | 500V |
| Tl lead soldering temperature | 300°C for 10s |
| Vgs th gate threshold voltage | 3V to 4V |
| Tstg storage temperature range | -55 to 150°C |
| Qgd gate to drain miller charge | 6.8nC |
| Обр. проходная емкость Crss | 4.7pF |
| Eas single pulse avalanche energy | 80mJ |
| Id continuous drain current tc 25c | 6A |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.67°C/W |
| Idss drain to source leakage current | 1µA (max) |
| Bvds drain to source breakdown voltage | 500V (min) |
| Термосопротивление переход-среда | 60°C/W |
| Tj operating junction temperature range | -55 to 150°C |
| Rds on static drain to source on resistance | 1.2Ω typ, 1.5Ω max |
| Напряжение, В | 500 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?