+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
RS4N80F
Документация

RS4N80F, МОП-транзистор 25 Вт

Артикул:1207182
У поставщика
ПроизводительREASUNOS
У поставщиков
19 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:19 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 126,45
от 10026,45
Описание

МОП-транзистор RS4N80F от REASUNOS в корпусе TO-220F для монтажа в отверстия. Выдерживает импульсный ток стока до 12 А и рассеивает мощность до 25 Вт, максимальное напряжение затвор-исток — ±30 В. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей в промышленной автоматике.

Технические характеристики
КорпусTO-220F
Тип монтажаTHT
Шаг выводов2.54mm
Лавинный ток3A
Рассеиваемая мощность25W
Ширина корпуса15.87mm
Package body height4.70mm
Package body length10.16mm
Импульсный ток стока12A
Тип. заряд затвор-сток9nC
Тип. входная емкость793pF
Тип. заряд затвора19nC
Turn on rise time typ20ns
Тип. заряд затвор-исток3nC
Выходная емкость тип.63pF
Turn off fall time typ45ns
Время задержки вкл. тип.12ns
Напряжение затвор-исток макс.±30V
Время задержки выкл. тип.30ns
Continuous drain current3A
Макс. напряжение сток-исток800V
Pulsed body diode current12A
Тип. время восст.300ns
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Пороговое напряжение затвора макс.4.0V
Пороговое напряжение затвора мин.3.0V
Энергия лавины20mJ
Тип. заряд восст.2.6µC
Continuous body diode current3A
Энергия одиноч. импульса160mJ
Body diode forward voltage max1.4V
Макс. Rси вкл.3.6Ω
Drain source on resistance typ
Gate source leakage current max±100nA
Обр. проходная емкость тип.9pF
Мин. напряжение сток-исток пробоя800V
Тепл. сопр. переход-корпус5 K/W
Диапазон темп. перехода-55 to +150°C
Термосопротивление переход-среда62.5 K/W
Zero gate voltage drain current max 25c1µA
Zero gate voltage drain current max 125c100µA
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт25

Заметили ошибку в описании или параметрах?