Документация
RS30N50W, N-канал полевой транзистор, 500В, 30A, TO-247, аналог для FDH45N50F SIHG25N50E-GE3
У поставщика
ПроизводительREASUNOS
У поставщиков
650 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:650 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 283,23 |
| от 50 | 283,23 |
Описание
REASUNOS RS30N50W — N-канальный полевой транзистор (MOSFET) в корпусе TO-247. Рабочее напряжение 500 В, ток 30 А, малые времена переключения (время нарастания 120 нс, спада 145 нс). Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 145ns |
| Кол-во выводов | 3 |
| Время нарастания | 120ns |
| Ширина корпуса | 15.75 mm (reference from D) |
| Шаг выводов | 5.45 mm (typ) |
| Технология | Planar stripe DMOS |
| Высота корпуса | 4.85-5.15 mm |
| Длина корпуса | 15.45-15.75 mm |
| Корпус | TO-247-3 |
| Лавинный ток | 30A |
| Заряд сток-затвор | 48nC |
| Вх. емкость | 8260pF |
| Полный заряд затвора | 140nC |
| Заряд затвор-исток | 22nC |
| Выходная емкость | 730pF |
| Время задержки включения | 68ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 485ns |
| Diode pulsed current | 120A |
| Drain current pulsed | 120A |
| Power derating factor | 3.2 W/°C |
| Мощн. рас. 25°C | 360W |
| Время обратного восстановления | 485ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Заряд обратного восстановления | 4.8µC |
| Diode continuous current | 30A |
| Макс. напряжение сток-исток | 500V |
| Прямая крутизна | 20S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Напр. диода макс. | 1.4V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5 V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Avalanche energy repetitive | 400mJ |
| Drain current continuous 25c | 30A |
| Обратная проходная емкость | 80pF |
| Avalanche energy single pulse | 3500mJ |
| Drain current continuous 100c | 20A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500V |
| Макс. Rси вкл. | 100mΩ |
| Drain source on resistance typ | 82mΩ |
| Overall length including leads | 40.9-41.3 mm |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Gate body leakage current forward | 100nA |
| Gate body leakage current reverse | -100nA |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.31 °C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 100µA |
| Термосопротивление переход-среда | 38 °C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.65 V/°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?