Документация
Диод импульсный 800В 1А RS1K-13-F
У поставщика
ПроизводительDIODES
У поставщиков
2 768 шт.
Норм. уп.: 5000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт12,24 ₽
Сумма1 224,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 768 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 157 — 10,82 ₽ (−12%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 224,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 076,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 224,00 ₽
Описание
Импульсный диод RS1K-13-F от DIODES рассчитан на обратное напряжение до 800 В и прямой ток до 1 А. Компонент выполнен в компактном корпусе SMA и поставляется на ленте в катушке. Подходит для применения в импульсных блоках питания и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Серия | RS1A/B - RS1M/B |
| Вес | 0.064g |
| Корпус | SMA |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | полоса катода или выемка катода |
| Без свинца | Да |
| Упаковка | 5,000/Tape & Reel |
| Размеры | A: 2.29-2.92mm; B: 4.00-4.60mm; C: 1.27-1.63mm; D: 0.15-0.31mm; E: 4.80-5.59mm; G: 0.05-0.20mm; H: 0.76-1.52mm; J: 1.96-2.40mm |
| Тип диода | Fast Recovery Rectifier |
| Описание | 1.0A Surface Mount Fast Recovery Rectifier |
| Артикул | RS1K-13-F |
| Без галогенов | Да |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL Flammability Classification Rating 94V-0 |
| Паяемость | MIL-STD-202, метод 208 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Покрытие выводов | Matte Tin Annealed over Copper Alloy Leadframe |
| Напряжение блокировки DC | 800V |
| Ср.кв. обратное напряжение | 560V |
| Рекомендуемая посадочная площадка | C: 4.30mm; G: 1.80mm; X: 2.50mm; Y: 2.30mm; X1: 6.80mm |
| Условие импульсного тока | 8.3мс одиночная полусинусоида |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Типовая общая ёмкость | 15pF |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Условия теста емкости | 1.0MHz, 4.0V DC |
| Условия обратного восстановления | IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A |
| Макс. прямое падение напряжения | 1.3V |
| Испытательное напряжение утечки VR, В | 800V |
| Раб. имп. обратное напряжение | 800V |
| Описание (англ.) | Diode Switching 800V 1A 2-Pin SMA T/R |
| Макс. время обратного восстановления | 500ns |
| Reverse breakdown test current | 0.5µA |
| Имп. обратное напряжение | 800V |
| Средний выпрямленный выходной ток | 1.0A |
| Forward voltage drop test current | 1.0A |
| Minimum reverse breakdown voltage | 800V |
| Maximum reverse leakage current 25c | 5.0µA |
| Maximum reverse leakage current 125c | 250µA |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +150°C |
| Неповтор. импульсный ток | 30A |
| Условия среднего выпрямленного тока | @ TT = +120°C |
| Typical thermal resistance junction to terminal | 20°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?