+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
RS1G86XF5
Документация

Элемент логический 2-ИЛИ RS1G86XF5

Артикул:992675
У поставщика
ПроизводительRUNIC
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
6 264 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:4 613 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 13,04
Склад 13
В наличии:1 651 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 92 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 17,64
от 2486,61
от 4965,75
от 9925,08
от 1 9844,63
Описание

Логический элемент 2-ИЛИ от RUNIC в компактном корпусе SOT-23-5. Работает при напряжении от 1,65 до 5,5 В, обеспечивает задержку распространения всего 6,7 нс при 3,3 В. Отличается низким током потребления (1 мкА). Применяется в портативных устройствах и промышленной автоматике для построения цифровых схем.

Технические характеристики
Тип монтажаSMD
ОписаниеSingle 2-Input Exclusive-OR Gate
АртикулRS1G86XF5
КорпусSOT-23-5
Logic functionXOR
Кол-во выводов5
Маркировка корпуса1G86
Ioff current max10µA (full range)
Модель машины ЭСР±500V
Вх. емкость4pF
Макс. вх. напр.5.5V
Размер корпуса2.92mm × 1.60mm
Макс. ток питания1µA (25°C), 10µA (full range)
ESD HBM±8000V
Диап. вых. напр.0V to VCC
Макс. рабочее напряжение5.5V
Мин. раб. напр.1.65V
Ток покоя тип.0.1µA
Макс. ток фиксации вх.-50mA
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-65°C
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Макс. темп. перехода150°C
Output clamp current max-50mA
Макс. раб. темп.125°C
Мин. раб. темп.-40°C
Задержка распр.5V ±0.5V: 5.3ns; 2.5V ±0.2V: 11.1ns; 3.3V ±0.3V: 6.7ns; 1.8V ±0.15V: 14.2ns
Data retention voltage min1.5V
Макс. входное низкое напряжение3V-3.6V: 0.4V; 2.3V-2.7V: 0.3V; 4.5V-5.5V: 0.15xVCC; 1.65V-1.95V: 0.20xVCC
Мин. Uвх высокого уровня3V-3.6V: 2.2V; 2.3V-2.7V: 1.7V; 4.5V-5.5V: 0.7xVCC; 1.65V-1.95V: 0.65xVCC
Описание (англ.)1uA 6.7ns@3.3V,50pF 1.65V~5.5V SOT23-5 Gates and Inverters RoHS
Continuous output current max±50mA
Output drive current negative24mA at 3V
Output drive current positive-24mA at 3V
Low level output voltage typical0.1V at 100µA, 0.55V at 24mA (3V)
High level output voltage typicalVCC-0.1V at 100µA, 2.3V at 24mA (3V)
Термосопротивление кристалл-плата85.9 °C/W
Power dissipation capacitance typical20pF (1.8V), 21pF (2.5V), 22pF (3.3V), 25pF (5V)
Термосопротивление переход-среда273.8 °C/W
Input transition rise fall rate typical20ns/V (1.8V), 10ns/V (3.3V), 5ns/V (5V)
Thermal resistance junction to case top126.8 °C/W
Continuous current through vcc or gnd max±100mA
Thermal characterization parameter junction to top10.9 °C/W
Thermal characterization parameter junction to board84.9 °C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?