Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 0.022 Ом 131Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт137,82 ₽
Сумма1 378,20 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии200 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 19 — 135,14 ₽ (−2%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 378,20 ₽. До заказа без доплаты не хватает 15 921,80 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 1 378,20 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от ON Semiconductor. Модель RFP50N06 рассчитана на ток 50 А и напряжение 60 В, имеет низкое сопротивление открытого канала 0.022 Ом. Подходит для применения в импульсных источниках питания, цепях управления двигателями и других силовых ключевых узлах.
Технические характеристики
| Бренд | RFP50N06 |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 13ns |
| Время нарастания | 55ns |
| Описание | N-Channel Power MOSFET |
| Артикул | RFP50N06 |
| Время включения | 95ns |
| Время выключения | 75ns |
| Вх. емкость | 2020pF |
| Рассеиваемая мощность | 131W |
| Полный заряд затвора | 125nC typ, 150nC max |
| Gate charge at 10V | 67nC typ, 80nC max |
| Выходная емкость | 600pF |
| Время задержки включения | 12ns |
| Время задержки выключения | 37ns |
| Импульсный ток стока | See Figure 5 |
| Drain to gate voltage | 60V |
| Время обратного восстановления | 125ns |
| Threshold gate charge | 3.7nC typ, 4.5nC max |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.877 W/°C |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Непрерывный ток стока | 50A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 175°C |
| Обратная проходная емкость | 200pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 60V 50A 0.022 Ohm 131 W |
| Drain to source on resistance | 0.022Ω |
| Source to drain diode voltage | 1.5V |
| Gate to source leakage current | ±100nA |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA at 25°C, 50µA at 150°C |
| Gate to source threshold voltage | 2V to 4V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.14°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Напряжение, В | 60 |
| Ток, А | 50 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?