Документация
RF1K49154, транзистор
У поставщика
ПроизводительINTERSIL
У поставщиков
67 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:67 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 92,12 |
| от 5 | 90,88 |
Описание
RF1K49154 — это сдвоенный N-канальный силовой MOSFET от INTERSIL. Компонент выполнен в компактном корпусе SOIC-8 для поверхностного монтажа, рассчитан на максимальное напряжение сток-затвор 60 В и рассеиваемую мощность до 2 Вт. Благодаря быстрому переключению (время включения 50 нс) подходит для импульсных источников питания и цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | Dual N-Channel Power MOSFET |
| Корпус | MS-012AA (SOIC-8) |
| Тип монтажа | SMD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Артикул | RF1K49154 |
| Время включения | 50ns |
| Корпус | SO-8 |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Время выключения | 155ns |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Коэф. сниж. | 0.016 W/°C |
| Описание | MOSFET 2N-CH 60V 2A 8SOIC |
| Вх. емкость | 340pF |
| Рассеиваемая мощность | 2W |
| Полный заряд затвора | 32nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate charge at 10v | 17nC |
| Выходная емкость | 140pF |
| Структура | N-канал |
| Gate leakage current | ±10µA |
| Импульсный ток стока | Refer to Peak Current Curve |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Время обратного восстановления | 62ns |
| Threshold gate charge | 1.0nC |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2A, 10V |
| Drain gate voltage max | 60V |
| Gate threshold voltage | 2 to 4V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Continuous drain current | 2A |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Drain source on resistance | 0.130Ω |
| Source drain diode voltage | 1.5V |
| Диап. раб. темп. | -55 to 150°C |
| Soldering temperature leads | 300°C for 10s |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 20V |
| Обратная проходная емкость | 40pF |
| Soldering temperature package | 260°C for 10s |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?