Документация
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recommended replacement: RD35HUP2)
У поставщика
ПроизводительMIT
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
10 шт.
Норм. уп.: 15
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:10 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 15
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2 411,23 |
| от 2 | 2 326,51 |
| от 3 | 2 246,71 |
| от 4 | 2 188,08 |
| от 5 | 2 134,22 |
Описание
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный от MIT. Работает при напряжении до 30 В, токе до 7 А и мощности 75 Вт на частоте до 175 МГц. Выполнен в керамическом корпусе. Подходит для усилителей мощности в радиочастотных передатчиках и промышленной связи.
Технические характеристики
| Усиление | 14.7dB min |
| RoHS | RoHS compliant |
| Мощность, Вт | 2,5 |
| Ток, А | 0,0001 |
| Корпус | Керамика |
| Напряжение, В | 30 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Частота | 175MHz |
| Размеры | Высота: 7.2mm +/-0.5; Ширина корпуса: 18.0mm +/-0.3; Длина корпуса: 22.0mm +/-0.3; Длина вывода: 7.6mm +/-0.3 |
| КПД | 60% typ |
| Описание | Silicon RF Power MOS FET (Discrete), designed for VHF RF power amplifiers |
| S parameters | Data: Provided in table for frequencies 100MHz to 1100MHz; Conditions: Vdd=12.5V, Id=500mA |
| Test circuit | Частота: 175MHz; Board material: PTFE substrate; Micro strip line width: 4.2mm/50Ω, er:2.7, t=1.6mm |
| Название компонента | RD30HVF1 |
| Конфиг. выводов | 1: Drain; 2: Source; 3: Gate |
| Темп. диапазон | Channel temperature: 175°C; Темп. хранения: -40 to +175°C |
| Тепловое сопротивление | 2.0 °C/W |
| Input output impedance | Conditions: Po=40W, Vdd=12.5V, Pin=1.0W; Zin 175MHz: 0.53-j5.34 Ω; Zout 175MHz: 1.87-j0.70 Ω |
| Recommended replacement | RD35HUP2 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Электрические характеристики | Vth: 1.3V min, 1.8V typ, 2.3V max; Drain efficiency: 55% min, 60% typ @ Pin=1.0W, Idq=0.5A; Output power test: 30W min, 35W typ @ f=175MHz, Vdd=12.5V; Load vswr tolerance: No destroy @ Vdd=15.2V, Po=30W, f=175MHz, Idq=0.5A, Zg=50Ω, Load VSWR=20:1 |
| Capacitance characteristics | Ciss: 200pF max (from graph); Coss: 140pF max (from graph); Crss: 20pF max (from graph) |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, radio frequency, 12.5 V, 175 MHz, 14.7 дБ, 30 W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?