Документация
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C
У поставщика
ПроизводительMIT
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
190 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:190 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 965,67 |
| от 10 | 926,46 |
| от 19 | 900,24 |
| от 37 | 877,17 |
| от 100 | 861,58 |
Описание
Полевой транзистор N-канального типа RD16HHF1-501 от производителя MIT предназначен для радиочастотных применений. Компонент рассчитан на работу на частотах до 30 МГц и способен выдерживать напряжение до 50 В при токе до 5 А. Благодаря рассеиваемой мощности 56,8 Вт и максимальной температуре перехода 150°C, транзистор подходит для использования в усилительных каскадах и передающих устройствах.
Технические характеристики
| Idq | 0.5A |
| Vdd | 12.5V |
| Тип | N-Channel RF Power MOSFET |
| Цоколевка | 1: Gate; 2: Source; 3: Drain; 4: Fin (Source) |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | RD16HHF1-501 |
| Частота | 30MHz |
| Размеры | A: 9.1±0.7mm; B: 3.6±0.2mm; C: 1.3±0.4mm; D: 0.8±0.15mm; E: 0.62±0.2mm; F: 2.5mm; G: 2.5mm; H: 9.5mm max; I: 1.2±0.4mm; J: 4.0±0.2mm; K: 3.0±0.5mm; L: 1.3±0.5mm; M: 3.9mm min; N: 5.7mm min; O: 4.8mm min; P: 5deg |
| Применение | HF band mobile radio sets output stage |
| Описание | Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz, 16W |
| S parameters | 10MHz: S11 ang: -43.2; S11 mag: 0.928; S12 ang: 60.6; S12 mag: 0.013; S21 ang: 150.2; S21 mag: 50.035; S22 ang: -44.6; S22 mag: 0.705; 30MHz: S11 ang: -96.8; S11 mag: 0.761; S12 ang: 34.3; S12 mag: 0.025; S21 ang: 117.1; S21 mag: 32.68; S22 ang: -92.6; S22 mag: 0.588; 50MHz: S11 ang: -121.9; S11 mag: 0.676; S12 ang: 24.3; S12 mag: 0.027; S21 ang: 101.3; S21 mag: 22.018; S22 ang: -116.9; S22 mag: 0.54; 100MHz: S11 ang: -145.8; S11 mag: 0.65; S12 ang: 20.3; S12 mag: 0.025; S21 ang: 81; S21 mag: 11.543; S22 ang: -138.4; S22 mag: 0.543; 150MHz: S11 ang: -156.4; S11 mag: 0.679; S12 ang: 27; S12 mag: 0.023; S21 ang: 66.2; S21 mag: 7.56; S22 ang: -147.1; S22 mag: 0.586; 200MHz: S11 ang: -162.7; S11 mag: 0.709; S12 ang: 46.4; S12 mag: 0.022; S21 ang: 55.7; S21 mag: 5.38; S22 ang: -153.2; S22 mag: 0.633; 250MHz: S11 ang: -168; S11 mag: 0.742; S12 ang: 63.2; S12 mag: 0.026; S21 ang: 45.9; S21 mag: 4.126; S22 ang: -158.1; S22 mag: 0.698; 300MHz: S11 ang: -173; S11 mag: 0.775; S12 ang: 74.4; S12 mag: 0.034; S21 ang: 36.9; S21 mag: 3.208; S22 ang: -163.2; S22 mag: 0.727; 350MHz: S11 ang: -177.7; S11 mag: 0.801; S12 ang: 78.3; S12 mag: 0.045; S21 ang: 29.6; S21 mag: 2.592; S22 ang: -168; S22 mag: 0.769; 400MHz: S11 ang: 177.7; S11 mag: 0.826; S12 ang: 78.4; S12 mag: 0.056; S21 ang: 22.6; S21 mag: 2.133; S22 ang: -172.8; S22 mag: 0.805; 450MHz: S11 ang: 173.2; S11 mag: 0.844; S12 ang: 78.1; S12 mag: 0.069; S21 ang: 16.6; S21 mag: 1.775; S22 ang: -176.8; S22 mag: 0.822; 500MHz: S11 ang: 169; S11 mag: 0.861; S12 ang: 75.3; S12 mag: 0.081; S21 ang: 11.3; S21 mag: 1.509; S22 ang: 178.9; S22 mag: 0.851; 550MHz: S11 ang: 164.8; S11 mag: 0.874; S12 ang: 73.1; S12 mag: 0.093; S21 ang: 5.9; S21 mag: 1.283; S22 ang: 174.7; S22 mag: 0.867; 600MHz: S11 ang: 160.7; S11 mag: 0.884; S12 ang: 69.8; S12 mag: 0.104; S21 ang: 2.1; S21 mag: 1.114; S22 ang: 170.9; S22 mag: 0.877; 650MHz: S11 ang: 156.9; S11 mag: 0.892; S12 ang: 67.2; S12 mag: 0.117; S21 ang: -1.9; S21 mag: 0.974; S22 ang: 166.9; S22 mag: 0.894; 700MHz: S11 ang: 153; S11 mag: 0.9; S12 ang: 63.7; S12 mag: 0.129; S21 ang: -5.3; S21 mag: 0.855; S22 ang: 163.4; S22 mag: 0.897; 750MHz: S11 ang: 149.1; S11 mag: 0.903; S12 ang: 60.6; S12 mag: 0.14; S21 ang: -8.4; S21 mag: 0.759; S22 ang: 159.6; S22 mag: 0.904; 800MHz: S11 ang: 145.5; S11 mag: 0.908; S12 ang: 56.8; S12 mag: 0.15; S21 ang: -11.3; S21 mag: 0.678; S22 ang: 155.9; S22 mag: 0.914; 850MHz: S11 ang: 141.7; S11 mag: 0.912; S12 ang: 53.8; S12 mag: 0.161; S21 ang: -13.5; S21 mag: 0.614; S22 ang: 152.9; S22 mag: 0.915; 900MHz: S11 ang: 137.9; S11 mag: 0.912; S12 ang: 50.4; S12 mag: 0.172; S21 ang: -15.3; S21 mag: 0.559; S22 ang: 149; S22 mag: 0.917; 950MHz: S11 ang: 134.3; S11 mag: 0.913; S12 ang: 47.1; S12 mag: 0.18; S21 ang: -17.3; S21 mag: 0.509; S22 ang: 145.4; S22 mag: 0.922; 1000MHz: S11 ang: 130.7; S11 mag: 0.913; S12 ang: 43.6; S12 mag: 0.19; S21 ang: -17.9; S21 mag: 0.467; S22 ang: 142.4; S22 mag: 0.92 |
| Power gain gp | >16dB |
| Соотв. RoHS | Да |
| Input power pin | 0.8W |
| Output power pout | 16W min, 19W typ |
| Drain efficiency nd | 55% min, 65% typ |
| Load vswr tolerance | 20:1 (All Phase) |
| Input impedance 30mhz | 20.02-j89.42 ohm |
| Output impedance 30mhz | 2.99-j3.66 ohm |
| Channel dissipation pch | 56.8W |
| Channel temperature tch | 150°C |
| Drain source current id | 5A |
| Electrostatic sensitive | Да |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Gate source voltage vgss | +/-20V |
| Storage temperature tstg | -40 to +150°C |
| Drain source voltage vdss | 50V |
| Thermal resistance rth jc | 2.2°C/W |
| Gate threshold voltage vth | 1.7 to 4.7V |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, radio frequency, 30 MHz, 56.8 W |
| Gate source leak current igss | 1uA |
| Zero gate voltage drain current idss | 10uA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?