Документация
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C
У поставщика
ПроизводительMIT
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 303 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 303 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 838,59 |
| от 11 | 803,88 |
| от 21 | 780,67 |
| от 50 | 760,24 |
| от 100 | 746,43 |
Описание
Полевой транзистор N-канального типа RD15HVF1-101 от производителя MIT. Предназначен для работы в радиочастотных цепях, обеспечивая усиление и коммутацию сигналов на частотах до 175 МГц. Компонент рассчитан на мощность до 48 Вт и ток до 4 А, что делает его подходящим для передающей аппаратуры и усилительных каскадов.
Технические характеристики
| Вывод 1 | Gate |
| Вывод 2 | Source |
| Вывод 3 | Drain |
| Вывод 4 | Fin (Source) |
| Корпус | TO-220 style |
| Тип монтажа | Выводной |
| Размеры | 9.5mm x 6.0mm x 3.6mm (body) |
| Описание | Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz-520MHz, 15W |
| Тип устройства | N-Channel RF Power MOSFET |
| Артикул | RD15HVF1-101 |
| Производитель | Mitsubishi Electric |
| Gain gp 175mhz | >14dB |
| Gain gp 520mhz | >7dB |
| Соотв. RoHS | Да |
| Диап. частот | 175MHz to 520MHz |
| Input power pin | 1.5W |
| Test pin 175mhz | 0.6W |
| Test pin 520mhz | 3W |
| Drain current id | 4A |
| Test current idq | 0.5A |
| Test frequency 1 | 175MHz |
| Test frequency 2 | 520MHz |
| Test voltage vdd | 12.5V |
| Load vswr tolerance | 20:1 (All Phase) |
| Input impedance 175mhz | 2.34-j8.01 ohm |
| Input impedance 520mhz | 5.42+j9.22 ohm |
| Output power pout1 min | 15W |
| Output power pout1 typ | 18W |
| Output power pout2 min | 15W |
| Output power pout2 typ | 18W |
| Channel dissipation pch | 48W |
| Channel temperature tch | 150°C |
| Output impedance 175mhz | 3.06+j0.74 ohm |
| Output impedance 520mhz | 6.02+j12.34 ohm |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Gate source voltage vgss | +/-20V |
| Storage temperature tstg | -40 to +150°C |
| Drain source voltage vdss | 30V |
| Thermal resistance rth jc | 2.6°C/W |
| Drain efficiency etad1 min | 55% |
| Drain efficiency etad1 typ | 60% |
| Drain efficiency etad2 min | 50% |
| Drain efficiency etad2 typ | 55% |
| Input power pin over 300mhz | 6W |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 15 W |
| Gate threshold voltage vth max | 2.5V |
| Gate threshold voltage vth min | 1.5V |
| Gate threshold voltage vth typ | 2.0V |
| Gate source leak current igss max | 1uA |
| Zero gate voltage drain current idss max | 100uA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?