Документация
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C
У поставщика
ПроизводительMIT
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
363 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:363 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 372,84 |
| от 13 | 353,48 |
| от 26 | 338,10 |
| от 51 | 324,58 |
| от 102 | 315,45 |
Описание
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный от MIT. Работает при напряжении до 30 В, токе до 3 А и мощности 50 Вт на частоте 520 МГц. Выполнен в компактном корпусе QFN12. Применяется в радиочастотных усилителях и передатчиках.
Технические характеристики
| Корпус | Discrete |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | Silicon RF Power MOS FET, VHF/UHF RF power amplifier |
| Артикул | RD07MVS1 |
| Voltage dss | 30V |
| Voltage gss | ±20V |
| S parameters | Bias: Vdd=7.2V, Id=750mA; Data: Частота: 100MHz; S11 ang: -174.1; S11 mag: 0.89; S12 ang: -3.6; S12 mag: 0.016; S21 ang: 82.1; S21 mag: 5.508; S22 ang: -172.8; S22 mag: 0.79, Частота: 150MHz; S11 ang: -175.6; S11 mag: 0.897; S12 ang: -8.5; S12 mag: 0.015; S21 ang: 75; S21 mag: 3.613; S22 ang: -174; S22 mag: 0.801, Частота: 175MHz; S11 ang: -176; S11 mag: 0.899; S12 ang: -9.6; S12 mag: 0.015; S21 ang: 72.4; S21 mag: 3.028; S22 ang: -174.1; S22 mag: 0.802, Частота: 200MHz; S11 ang: -176.3; S11 mag: 0.901; S12 ang: -10.9; S12 mag: 0.014; S21 ang: 70.1; S21 mag: 2.604; S22 ang: -174; S22 mag: 0.815, Частота: 250MHz; S11 ang: -176.7; S11 mag: 0.907; S12 ang: -12.7; S12 mag: 0.014; S21 ang: 65.6; S21 mag: 2.019; S22 ang: -174.1; S22 mag: 0.844, Частота: 300MHz; S11 ang: -177; S11 mag: 0.913; S12 ang: -15.3; S12 mag: 0.012; S21 ang: 60.7; S21 mag: 1.614; S22 ang: -174.1; S22 mag: 0.843, Частота: 350MHz; S11 ang: -177.3; S11 mag: 0.918; S12 ang: -15.8; S12 mag: 0.011; S21 ang: 57.1; S21 mag: 1.308; S22 ang: -174.4; S22 mag: 0.86, Частота: 400MHz; S11 ang: -177.8; S11 mag: 0.924; S12 ang: -14.2; S12 mag: 0.01; S21 ang: 54.1; S21 mag: 1.102; S22 ang: -175; S22 mag: 0.879, Частота: 450MHz; S11 ang: -178; S11 mag: 0.928; S12 ang: -14.8; S12 mag: 0.009; S21 ang: 50.1; S21 mag: 0.929; S22 ang: -175.1; S22 mag: 0.882, Частота: 500MHz; S11 ang: -178.3; S11 mag: 0.933; S12 ang: -9.6; S12 mag: 0.008; S21 ang: 48.6; S21 mag: 0.79; S22 ang: -175.5; S22 mag: 0.895, Частота: 520MHz; S11 ang: -178.5; S11 mag: 0.935; S12 ang: -7.7; S12 mag: 0.007; S21 ang: 47.6; S21 mag: 0.753; S22 ang: -175.8; S22 mag: 0.901, Частота: 550MHz; S11 ang: -178.8; S11 mag: 0.937; S12 ang: -5.6; S12 mag: 0.007; S21 ang: 45.3; S21 mag: 0.692; S22 ang: -176.2; S22 mag: 0.906, Частота: 600MHz; S11 ang: -179.2; S11 mag: 0.94; S12 ang: 0.4; S12 mag: 0.006; S21 ang: 43.6; S21 mag: 0.595; S22 ang: -176.6; S22 mag: 0.907, Частота: 650MHz; S11 ang: -179.4; S11 mag: 0.942; S12 ang: 17.1; S12 mag: 0.006; S21 ang: 42.4; S21 mag: 0.529; S22 ang: -177.2; S22 mag: 0.916, Частота: 700MHz; S11 ang: -179.8; S11 mag: 0.944; S12 ang: 21.8; S12 mag: 0.005; S21 ang: 40.2; S21 mag: 0.467; S22 ang: -177.6; S22 mag: 0.923, Частота: 750MHz; S11 ang: 179.8; S11 mag: 0.947; S12 ang: 40.9; S12 mag: 0.005; S21 ang: 39.4; S21 mag: 0.416; S22 ang: -178; S22 mag: 0.921, Частота: 800MHz; S11 ang: 179.4; S11 mag: 0.948; S12 ang: 52; S12 mag: 0.004; S21 ang: 38.6; S21 mag: 0.374; S22 ang: -178.8; S22 mag: 0.93, Частота: 850MHz; S11 ang: 179; S11 mag: 0.949; S12 ang: 67.1; S12 mag: 0.005; S21 ang: 37.6; S21 mag: 0.343; S22 ang: -178.9; S22 mag: 0.933, Частота: 900MHz; S11 ang: 178.6; S11 mag: 0.951; S12 ang: 72.6; S12 mag: 0.005; S21 ang: 36.5; S21 mag: 0.304; S22 ang: -179.3; S22 mag: 0.932, Частота: 950MHz; S11 ang: 178.2; S11 mag: 0.951; S12 ang: 85.8; S12 mag: 0.006; S21 ang: 37.6; S21 mag: 0.284; S22 ang: 179.8; S22 mag: 0.937, Частота: 1000MHz; S11 ang: 177.9; S11 mag: 0.952; S12 ang: 85.1; S12 mag: 0.007; S21 ang: 35.1; S21 mag: 0.262; S22 ang: 179.7; S22 mag: 0.938, Частота: 1050MHz; S11 ang: 177.4; S11 mag: 0.95; S12 ang: 89.8; S12 mag: 0.008; S21 ang: 36; S21 mag: 0.234; S22 ang: 179.3; S22 mag: 0.938, Частота: 1100MHz; S11 ang: 176.9; S11 mag: 0.952; S12 ang: 93.4; S12 mag: 0.009; S21 ang: 35.8; S21 mag: 0.226; S22 ang: 178.2; S22 mag: 0.94; Частота: 100MHz to 1100MHz |
| Current drain | 3A |
| Соотв. RoHS | Да |
| Диап. частот | 175MHz to 520MHz |
| Макс. входная мощность | 1.5W |
| Capacitance ciss | typical characteristics at Vds=10V, f=1MHz |
| Capacitance coss | typical characteristics at Vds=10V, f=1MHz |
| Capacitance crss | typical characteristics at Vds=10V, f=1MHz |
| Рассеиваемая мощность | 50W |
| Power gain 520MHz | >10dB |
| Input power 175MHz | 0.3W |
| Input power 520MHz | 0.7W |
| Test voltage drain | 7.2V |
| Output power 175MHz | 7W min, 8W typ |
| Output power 520MHz | 7W min, 8W typ |
| Gate threshold voltage | 1.4V min, 1.7V typ, 2.4V max |
| Input impedance 175MHz | Zin*=1.55+j5.53 ohm |
| Input impedance 520MHz | Zin*=0.76+j0.06 ohm |
| Drain efficiency 175MHz | 55% min, 60% typ |
| Drain efficiency 520MHz | 50% min, 55% typ |
| Output impedance 175MHz | Zout*=3.24-j0.26 ohm |
| Output impedance 520MHz | Zout*=1.61-j0.52 ohm |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Quiescent current 175MHz | 700mA |
| Quiescent current 520MHz | 750mA |
| Диап. темп. хр. | -40 to +125°C |
| Test voltage drain 175MHz | 7.2V |
| Test voltage drain 520MHz | 7.2V |
| Load vswr tolerance 175MHz | 20:1 all phase |
| Load vswr tolerance 520MHz | 20:1 all phase |
| Gate source leakage current | 1uA max |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V |
| Zero gate voltage drain current | 200uA max |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?