Документация
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 175МГц Tch=150°C
У поставщика
ПроизводительMIT
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
20 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:20 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 694,38 |
| от 2 | 665,80 |
| от 3 | 638,89 |
| от 6 | 619,11 |
| от 12 | 600,96 |
Описание
Полевой N-канальный радиочастотный транзистор от MIT. Работает при напряжении до 50 В, токе до 3 А и мощности 27,8 Вт, частота — 175 МГц. Выполнен в корпусе TO-220. Подходит для радиочастотных усилителей и передающих устройств.
Технические характеристики
| Тип | N-channel RF Power MOSFET |
| Id max | 3A |
| Корпус | NIM3.21 |
| Макс. Vds | 50V |
| Макс. Vgs | 20V |
| Тип монтажа | THT |
| Частота | 175MHz |
| Размеры | 9.5mm max height, 6.0mm width, 1.3mm thickness (approx) |
| Артикул | RD06HVF1-501 |
| Корпус | TO-220 |
| Power gain min | 13dB |
| Макс. входная мощность | 0.6W |
| Output power min | 6W |
| Конфиг. выводов | 1:GATE, 2:SOURCE, 3:DRAIN |
| Channel dissipation | 27.8W |
| Output power typical | 10W |
| S parameters provided | Да |
| Threshold voltage max | 4.9V |
| Threshold voltage min | 1.9V |
| Input impedance 175MHz | 4.25 - j25.6 ohms |
| Channel temperature max | 150°C |
| Output impedance 175MHz | 5.64 - j1.05 ohms |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Drain efficiency typical | 65% |
| Диап. темп. хр. | -40 to +150°C |
| Typical input capacitance | 50pF (at Vds=10V) |
| Typical output capacitance | 20pF (at Vds=10V) |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 6 W |
| Gate source leakage current max | 1uA |
| Drain source leakage current max | 10uA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 4.5°C/W |
| Typical reverse transfer capacitance | 5pF (at Vds=10V) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?