Документация
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 30МГц Tch=150°C
У поставщика
ПроизводительMIT
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
22 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:22 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 961,17 |
| от 3 | 912,58 |
| от 6 | 873,00 |
| от 12 | 843,61 |
| от 23 | 821,73 |
Описание
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный от MIT. Работает при напряжении до 50 В и токе до 3 А, мощность рассеивания — 27,8 Вт. Выполнен в корпусе TO-220. Применяется в радиочастотных усилителях и передатчиках.
Технические характеристики
| Примечание | Observe handling precautions |
| Корпус | NIM3.21 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Размеры | Ширина корпуса: 5.0-/+5.4mm; Шаг выводов: 2.5mm; Ширина вывода: 0.8+0.10/-0.15mm; Высота корпуса: 6.0-/+1.3mm; Длина корпуса: 9.5mm MAX; Длина вывода: 9.1+/-0.7mm |
| Технология | MOSFET |
| Применение | HF RF power amplifiers |
| Описание | Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz, 6W |
| Артикул | RD06HHF1 |
| S parameters | Data: S11 ang: -18.8; S11 mag: 0.985; S12 ang: 76.2; S12 mag: 0.008; S21 ang: 165.9; S21 mag: 34.407; S22 ang: -17.3; S22 mag: 0.826; Частота, МГц: 10, S11 ang: -50.4; S11 mag: 0.9; S12 ang: 59.4; S12 mag: 0.021; S21 ang: 143.3; S21 mag: 30.427; S22 ang: -43.6; S22 mag: 0.767; Частота, МГц: 30, S11 ang: -74.4; S11 mag: 0.799; S12 ang: 43.2; S12 mag: 0.029; S21 ang: 126.1; S21 mag: 24.979; S22 ang: -65; S22 mag: 0.677; Частота, МГц: 50, S11 ang: -109.6; S11 mag: 0.667; S12 ang: 27.3; S12 mag: 0.032; S21 ang: 100.7; S21 mag: 15.565; S22 ang: -96.8; S22 mag: 0.547; Частота, МГц: 100, S11 ang: -129; S11 mag: 0.636; S12 ang: 23.1; S12 mag: 0.032; S21 ang: 85.1; S21 mag: 10.953; S22 ang: -113.4; S22 mag: 0.523; Частота, МГц: 150, S11 ang: -140.1; S11 mag: 0.63; S12 ang: 25.3; S12 mag: 0.029; S21 ang: 73.7; S21 mag: 8.194; S22 ang: -124.7; S22 mag: 0.528; Частота, МГц: 200, S11 ang: -148.2; S11 mag: 0.645; S12 ang: 34.5; S12 mag: 0.027; S21 ang: 63.9; S21 mag: 6.528; S22 ang: -132.7; S22 mag: 0.561; Частота, МГц: 250, S11 ang: -155; S11 mag: 0.663; S12 ang: 49.1; S12 mag: 0.027; S21 ang: 55.2; S21 mag: 5.315; S22 ang: -139.6; S22 mag: 0.588; Частота, МГц: 300, S11 ang: -160.7; S11 mag: 0.685; S12 ang: 61.8; S12 mag: 0.031; S21 ang: 47.4; S21 mag: 4.437; S22 ang: -145.9; S22 mag: 0.622; Частота, МГц: 350, S11 ang: -165.9; S11 mag: 0.708; S12 ang: 71; S12 mag: 0.039; S21 ang: 39.9; S21 mag: 3.771; S22 ang: -151.7; S22 mag: 0.657; Частота, МГц: 400, S11 ang: -170.8; S11 mag: 0.729; S12 ang: 75.8; S12 mag: 0.048; S21 ang: 33.2; S21 mag: 3.233; S22 ang: -157; S22 mag: 0.686; Частота, МГц: 450, S11 ang: -175.4; S11 mag: 0.752; S12 ang: 77.9; S12 mag: 0.059; S21 ang: 26.8; S21 mag: 2.826; S22 ang: -162.3; S22 mag: 0.715; Частота, МГц: 500, S11 ang: 179.9; S11 mag: 0.771; S12 ang: 76.9; S12 mag: 0.07; S21 ang: 20.7; S21 mag: 2.475; S22 ang: -167.6; S22 mag: 0.743; Частота, МГц: 550, S11 ang: 175.4; S11 mag: 0.789; S12 ang: 76.1; S12 mag: 0.083; S21 ang: 15.2; S21 mag: 2.186; S22 ang: -172.3; S22 mag: 0.763; Частота, МГц: 600, S11 ang: 171.2; S11 mag: 0.804; S12 ang: 73.7; S12 mag: 0.095; S21 ang: 9.7; S21 mag: 1.943; S22 ang: -177.3; S22 mag: 0.789; Частота, МГц: 650, S11 ang: 166.9; S11 mag: 0.819; S12 ang: 71; S12 mag: 0.108; S21 ang: 4.6; S21 mag: 1.738; S22 ang: 178.1; S22 mag: 0.804; Частота, МГц: 700, S11 ang: 162.6; S11 mag: 0.834; S12 ang: 68.1; S12 mag: 0.12; S21 ang: 0; S21 mag: 1.56; S22 ang: 173.5; S22 mag: 0.82; Частота, МГц: 750, S11 ang: 158.5; S11 mag: 0.842; S12 ang: 65; S12 mag: 0.133; S21 ang: -4.5; S21 mag: 1.41; S22 ang: 169; S22 mag: 0.837; Частота, МГц: 800, S11 ang: 154.3; S11 mag: 0.851; S12 ang: 61.6; S12 mag: 0.145; S21 ang: -8.7; S21 mag: 1.275; S22 ang: 164.8; S22 mag: 0.847; Частота, МГц: 850, S11 ang: 150.3; S11 mag: 0.859; S12 ang: 58.2; S12 mag: 0.157; S21 ang: -12.6; S21 mag: 1.16; S22 ang: 160.2; S22 mag: 0.858; Частота, МГц: 900, S11 ang: 146.2; S11 mag: 0.866; S12 ang: 54.5; S12 mag: 0.167; S21 ang: -16.9; S21 mag: 1.058; S22 ang: 155.7; S22 mag: 0.869; Частота, МГц: 950, S11 ang: 142.3; S11 mag: 0.87; S12 ang: 51; S12 mag: 0.179; S21 ang: -20; S21 mag: 0.963; S22 ang: 151.8; S22 mag: 0.876; Частота, МГц: 1000; Condition: Vdd=12.5V, Id=500mA |
| Чувствит. к ЭСР | Electrostatic Sensitive Device |
| Конфиг. выводов | 1: Gate; 2: Source; 3: Drain |
| Typical characteristics | Conditions for impedance: Po=10W, Vdd=12.5V, Pin=0.15W; Input impedance zin at 30mhz: 65.06-j150.9Ω; Output impedance zout at 30mhz: 8.75-j4.92Ω |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Предельные значения | Input power pin: 0.3W; Drain current id: 3A; Channel dissipation pch: 27.8W; Channel temperature tch: 150°C; Gate source voltage vgss: ±20V; Storage temperature tstg: -40 to +150°C; Drain source voltage vdss: 50V; Thermal resistance junction to case rth j c: 4.5°C/W |
| Электрические характеристики | Output power pout: Min: 6W; Typ: 10W; Condition: VDD=12.5V, Pin=0.15W, f=30MHz, Idq=0.5A; Drain efficiency nd: Min: 55%; Typ: 65%; Condition: VDD=12.5V, Pin=0.15W, f=30MHz, Idq=0.5A; Load vswr tolerance: Result: No destroy; Condition: VDD=15.2V, Po=6W(Pin Control), f=30MHz, Idq=0.5A, Zg=50Ω, Load VSWR=20:1 (All Phase); Gate threshold voltage vth: Max: 4.9V; Min: 1.9V; Condition: VDS=12V, IDS=1mA; Gate to source leak current igss: Max: 1uA; Condition: VGS=10V, VDS=0V; Zero gate voltage drain current idss: Max: 10uA; Condition: VDS=17V, VGS=0V |
| Описание (англ.) | MOSFET Power Transistor 30MHz, 6W, 12.5V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?