Документация
Транзистор RD01MUS2-T513
У поставщика
У поставщиков
590 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:590 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 72,16 |
| от 32 | 66,62 |
| от 64 | 62,09 |
| от 127 | 58,70 |
| от 254 | 56,17 |
Описание
Транзистор RD01MUS2-T513 от MIT представляет собой мощный полевой (MOSFET) компонент, предназначенный для работы в радиочастотных цепях. Устройство оптимизировано для усиления сигналов в диапазоне УВЧ, что делает его востребованным в телекоммуникационном оборудовании и передатчиках. Модель отличается высокой линейностью и эффективностью при работе на повышенных частотах.
Технические характеристики
| Тип | Silicon RF Power MOS FET |
| Частота | 520MHz |
| Артикул | RD01MUS2-T513 |
| Корпус | SOT-89-3 |
| Макс. входная мощность | 100mW |
| Output power min | 0.8W |
| Output power typ | 1.3W |
| Drain current max | 600mA |
| Channel dissipation | 12.5W |
| Drain efficiency min | 50% |
| Drain efficiency typ | 65% |
| Gate leak current max | 1uA |
| Channel temperature max | 150°C |
| Quiescent drain current | 100mA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | 40V |
| Input impedance conjugate | 5.82 + j14.62 Ω |
| Диап. темп. хр. | -40 to +125°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.6V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.6V |
| Тип. пороговое Uзи | 2.1V |
| Output impedance conjugate | 12.02 + j6.77 Ω |
| Описание (англ.) | MOSFET Power Transistor 520MHz, 1W, 7.2V |
| Gate source voltage max negative | -5V |
| Gate source voltage max positive | 10V |
| Zero gate voltage drain current max | 50uA |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 10.0 °C/W |
| Thermal resistance junction to case typ | 4.5 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?