+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
QRE1113GR
Документация

МИКРОСХЕМЫ QRE1113GR, Фототранзисторный выходной рефлекторный датчик ON Semiconductor, корпус SMD-4

Артикул:746590
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
639 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 736,75 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 563,25 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
25 шт · Склад 13 · 736,75 ₽
Описание

Фототранзисторный рефлекторный датчик QRE1113GR от ON Semiconductor выполнен в миниатюрном корпусе SMD-4. Устройство объединяет инфракрасный светодиод и фототранзистор, ориентированные для работы с отражённым сигналом. Применяется в системах обнаружения объектов, датчиках приближения и оптических энкодерах.

Технические характеристики
ТипReflective Object Sensor with Phototransistor Output
ТипФототранзистор
КорпусSMD-4
Тип монтажаSMD
Время спада20µs
Время нарастания20µs
АртикулQRE1113GR
Тёмный ток100nA
ПроизводительON Semiconductor
Коэф. сниж.1.00 mW/°C
Мощность, Вт75
Размеры упаковки5.5mm x 3.73mm x 1.98mm
Напряжение насыщения0.3V
Макс. прямое напряжение1.6V
Типовое прямое напряжение1.2V
Обратный ток утечки10µA
Макс. темп. хр.+90°C
Мин. темп. хр.-40°C
Пиковая длина волны940nm
Макс. раб. темп.+85°C
Мин. раб. темп.-40°C
Soldering temperature flow260°C for 10s
Soldering temperature iron240°C for 5s
Emitter reverse voltage max5V
Cross talk collector current1µA
Макс. ток коллектора20mA
Макс. рассеиваемая мощность50mW
Emitter power dissipation max75mW
On state collector current max0.90mA
On state collector current min0.10mA
Emitter peak forward current max1A
Макс. Uкэ30V
Макс. Uэк5V
Emitter continuous forward current max50mA

Заметили ошибку в описании или параметрах?