
Документация
Транзистор PZTA42T1G
У поставщика
У поставщиков
12 042 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8,15 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:12 042 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 24,58 |
| от 135 | 22,43 |
| от 269 | 20,71 |
| от 537 | 19,24 |
| от 1 000 | 18,24 |
Описание
Транзистор PZTA42T1G от ON Semiconductor — высоковольтный NPN биполярный транзистор в компактном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа. Предназначен для работы в цепях с напряжением до 300 В, обеспечивая усиление и коммутацию сигналов. Подходит для применения в импульсных источниках питания, драйверах и других схемах, требующих высокой пробивной способности.
Технические характеристики
| Маркировка | P1D |
| Корпус | SOT-223 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape & Reel |
| Размеры | Высота: 1.50-1.75mm; Ширина корпуса: 3.30-3.70mm; Шаг выводов: 2.20-2.40mm; Ширина вывода: 0.60-0.89mm; Длина корпуса: 6.30-6.70mm |
| Без галогенов | Да |
| Комплементарный аналог | PZTA92T1G |
| Соотв. RoHS | Да |
| Кол-во на катушке | 1000 |
| Hfe мин. | At 1mA 10V: 25; At 10mA 10V: 40; At 30mA 10V: 40 |
| Автомобильный | AEC-Q101 (S prefix) |
| Collector current dc | 500mA |
| Общая рассеиваемая мощность | 1.5W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Feedback capacitance max | 3pF |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 300V |
| Описание (англ.) | NPN 300V 0.5A |
| Макс. напр. К-Э | 300V |
| Current gain bandwidth product | 50MHz |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 0.1uA |
| Макс. ток отсечки К-Б | 0.1uA |
| Макс. Uбэ нас. | 0.9V |
| Термосопротивление переход-среда | 83.3°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.5V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?