Документация
Транзистор PUMH9,115
У поставщика
У поставщиков
4 073 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 073 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 166 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,16 |
| от 253 | 3,70 |
| от 505 | 3,30 |
| от 1 009 | 2,97 |
| от 2 018 | 2,74 |
Описание
Транзистор PUMH9,115 производства Nexperia представляет собой сдвоенный NPN-биполярный транзистор в компактном корпусе SOT363. Компонент содержит два независимых транзистора, что позволяет экономить место на плате и упрощает разводку. Применяется в цепях коммутации, управления нагрузкой и в усилительных каскадах с низким энергопотреблением.
Технические характеристики
| Тип | NPN/NPN resistor-equipped double transistor |
| Корпус | TSSOP6 (SOT363) |
| Vcb max | 50V |
| Тип монтажа | SMD |
| Vceo макс. | 50V |
| Vebo макс. | 6V |
| Компонент | PUMH9 |
| Шаг выводов | 0.65mm |
| V i on min | 1.4V |
| V i on typ | 0.8V |
| Vcesat max | 100mV |
| V i off max | 0.5V |
| V i off typ | 0.7V |
| Код маркировки | H%9 |
| Корпус | 6-TSSOP |
| Cc conditions | VCB=10V, f=1MHz |
| FT conditions | VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz |
| Hfe conditions | VCE=5V, IC=5mA |
| R2 r1 ratio max | 5.7 |
| R2 r1 ratio min | 3.7 |
| R2 r1 ratio typ | 4.7 |
| V i on conditions | VCE=0.3V, IC=1mA |
| Vcesat conditions | IC=5mA, IB=0.25mA |
| Макс. вых. ток | 100mA |
| Размеры упаковки | 2.1mm x 1.25mm x 0.95mm |
| V i off conditions | VCE=5V, IC=100µA |
| Hfe мин. | 100 |
| R1 bias resistor max | 13kΩ |
| R1 bias resistor min | 7kΩ |
| R1 bias resistor typ | 10kΩ |
| Макс. темп. окр. среды | 150°C |
| Темп. окружающей среды мин. | -55°C |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Transition frequency typ | 230MHz |
| Collector capacitance max | 2.5pF |
| Input voltage negative max | -6V |
| Input voltage positive max | 40V |
| Описание (англ.) | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP |
| Power dissipation per device max | 300mW |
| Power dissipation per transistor max | 200mW |
| Thermal resistance junction to ambient per device max | 417K/W |
| Thermal resistance junction to ambient per transistor max | 625K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?