Документация
Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4SMD
У поставщика
ПроизводительRENESAS
У поставщиков
739 шт.
Норм. уп.: 3500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:739 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3500
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 50,60 |
| от 13 | 49,42 |
| от 26 | 47,75 |
| от 51 | 45,24 |
| от 101 | 42,07 |
Описание
Оптоизолятор RENESAS PS2705A-1-F3-A с транзисторным выходом. Напряжение изоляции 3,75 кВ, корпус SOP-4, рабочая температура от -55°C до 100°C. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| Ctr | 50 to 300% |
| Тип | Optically coupled isolator (photocoupler) |
| Emitter | GaAs light emitting diode |
| Корпус | SOP-4 |
| Тип монтажа | SMD |
| Ctr ranks | L: 100 to 300%; M: 50 to 150%; N: 50 to 300% |
| Время спада | 7us (typ) |
| Кол-во выводов | 4 |
| Время нарастания | 5us (typ) |
| Размеры | Шаг: 2.54mm; Ширина: 4.0mm; Высота: 2.0mm; Длина: 7.0mm |
| Тип входа | AC input response |
| Описание | HIGH ISOLATION VOLTAGE SOP PHOTOCOUPLER |
| Тип выхода | NPN silicon phototransistor |
| Артикул | PS2705A-1-F3-A |
| Air distance | 5mm (min) |
| Применение | Hybrid IC, Telephone/FAX, FA/OA equipment, Programmable logic controllers, Power supply |
| Preheat time | 120±30s |
| Reflow count | 3 |
| Время включения | 8us (typ) |
| Стиль упаковки | Embossed Tape 3500 pcs/reel |
| Время выключения | 10us (typ) |
| Ctr conditions | IF=±5mA, VCE=5V |
| Покрытие пайки | Pb-Free |
| Время пика оплавления | 10s or less |
| Станд. безоп. | UL approved: No. E72422, CSA approved: No. CA 101391, SEMKO, NEMKO, DEMKO, FIMKO approved (EN 60065, EN 60950), DIN EN 60747-5-5 (VDE 0884-5) approved (Option) |
| Напр. изоляции | 3750Vrms |
| Конфиг. выводов | 1: Anode, Cathode; 2: Cathode, Anode; 3: Emitter; 4: Collector |
| Isolation distance | 0.3mm (min) |
| Preheat temperature | 120 to 180°C |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Сопр. изоляции | 10^11 Ohm (min) |
| Напр. диода | 1.2V (typ), 1.4V (max) |
| Емк. изоляции | 0.4pF (typ) |
| Раб. температура | -55 to +100°C |
| Reflow time above 220C | 60s or less |
| Diode power dissipation | 80mW |
| Inner creepage distance | 2.5mm (min) |
| Outer creepage distance | 5mm (min) |
| Пиковая темп. оплавления | 260°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Diode forward current dc | ±50mA |
| Switching time conditions | VCC=5V, IC=2mA, RL=100 Ohm |
| Diode peak forward current | ±0.5A |
| Diode terminal capacitance | 20pF (typ) |
| Collector saturation voltage | 0.13V (typ), 0.3V (max) |
| Isolation voltage conditions | AC voltage for 1 minute at TA=25C, RH=60% |
| Transistor collector current | 30mA |
| Transistor power dissipation | 150mW |
| Описание (англ.) | SOP 4/HIGH ISOLATION VOLTAGE INPUT RESPONSE TYPE SOP MULTI PHOTOCOUPLER |
| Isolation resistance conditions | VI-O=1.0kVDC |
| Diode forward voltage conditions | IF=±5mA |
| Diode power dissipation derating | 0.8mW/°C |
| Isolation capacitance conditions | V=0V, f=1.0MHz |
| Transistor collector emitter voltage | 70V |
| Transistor emitter collector voltage | 5V |
| Diode peak forward current conditions | PW=100us, Duty Cycle=1% |
| Diode terminal capacitance conditions | V=0V, f=1.0MHz |
| Transistor power dissipation derating | 1.5mW/°C |
| Рабочая температура | -55°C ~ 100°C |
| Collector saturation voltage conditions | IF=±10mA, IC=2mA |
| Transistor collector emitter dark current | 100nA (max) |
| Transistor collector emitter dark current conditions | IF=0mA, VCE=70V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?