+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
PS2701A-1-F3-A
Документация

Оптопара PS2701A-1-F3-A

Артикул:95241
У поставщика
ПроизводительRENESAS
Ед. изм.шт
У поставщиков
11 640 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:4 911 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3500
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 120,98
от 19018,46
от 32017,02
от 53015,89
от 90015,10
Склад 13
В наличии:3 679 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3500
Минимальная партия: 34 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 121,18
от 15419,25
от 30817,72
от 61516,39
от 1 23015,51
Склад 15
В наличии:3 050 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 50
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 5016,54
Описание

Оптопара PS2701A-1-F3-A от Renesas — это миниатюрный SMD-фотокомпонент в корпусе SOP с высоким напряжением изоляции 3750 В. Время включения и выключения составляет 8 и 10 мкс соответственно, а сопротивление изоляции достигает 10¹¹ Ом. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.

Технические характеристики
ТипOptically Coupled Isolator (GaAs LED + NPN Silicon Phototransistor)
Цоколевка1: Anode; 2: Cathode; 3: Emitter; 4: Collector
Вес0.08g typ.
Ctr max300%
Ctr min50%
КорпусSOP
УпаковкаEmbossed Tape, 3500 pcs/reel
Тип монтажаSMD
Ctr ranksL: 100 to 300%; M: 50 to 150%; N: 50 to 300%; P: 150 to 300%
Время спада7µs
Без свинцаДа
Кол-во выводов4
Время нарастания5µs
Размеры7.0±0.3mm x 4.0±0.5mm x 2.0±1.2mm
ОписаниеHigh isolation voltage SOP photocoupler
АртикулPS2701A-1-F3-A
Air distance5mm
Время включения8µs
Тип. время спада7µs
Стиль упаковкиEmbossed Tape 3500 pcs/reel
Тип. время нарастания5µs
Время выключения10µs
Ctr conditionsIF=5mA, VCE=5V
Покрытие пайкиPb-Free
Одобр. безоп.UL1577 Single protection, CAN/CSA-C22.2 No. 62368-1 Basic/Supplementary insulation, BS EN 62368-1 Basic/Supplementary insulation, EN 62368-1 Basic/Supplementary insulation, IEC 62368-1 Basic/Supplementary insulation, DIN EN 60747-5-5 (Option)
Станд. безоп.UL1577, CSA, BSI, SEMKO, NEMKO, FIMKO, DEMKO, VDE (option)
Время включения тип.8µs
Путь утечки5mm
Напр. изоляции3750Vr.m.s.
Время выкл. тип.10µs
Isolation distance0.3mm
Размеры упаковки4.0±0.5 x 7.0±0.3 x 4.4mm
Макс. прямое напряжение1.4V
Типовое прямое напряжение1.2V
Макс. обратный ток5µA
Темп. хранения-55 to +150°C
Diode power derating0.8mW/°C
Сопр. изоляции10^11Ω
Макс. прямой ток0.5A
Terminal capacitance10pF
Напр. диода1.2V typ, 1.4V max
Diode reverse current5µA max
Diode reverse voltage6V
Емк. изоляции0.4pF
Recommended mount pad1.45mm
Current transfer ratio50 to 300%
Diode power dissipation80mW
Transistor dark current100nA max
Diode forward current dc50mA
Сопротивление изоляции мин.10^11 Ohm
Типовая изоляционная емкость0.4pF
Диап. темп. хр.-55°C to +150°C
Switching time conditionsVCC=5V, IC=2mA, RL=100 Ohm
Transistor power derating1.5mW/°C
Diode peak forward current0.5A
Forward voltage conditionsIF=5mA
Reverse current conditionsVR=5V
Диап. раб. темп.-55°C to +100°C
Collector saturation voltage0.13V typ, 0.3V max
Transistor collector current30mA
Transistor power dissipation150mW
Темп. окр. среды-55 to +100°C
Isolation resistance conditionsVI-O=1.0kVDC
Условия пикового прямого токаPW=100µs, Duty Cycle=1%
Terminal capacitance conditionsV=0V, f=1.0MHz
Collector saturation voltage max0.3V
Collector saturation voltage typ0.13V
Diode power dissipation derating0.8mW/°C
Isolation capacitance conditionsV=0V, f=1.0MHz
Collector emitter dark current max100nA
Transistor collector emitter voltage70V
Transistor emitter collector voltage5V
Transistor power dissipation derating1.5mW/°C
Collector saturation voltage conditionsIF=10mA, IC=2mA
Collector emitter dark current conditionsIF=0mA, VCE=70V

Заметили ошибку в описании или параметрах?