Документация
Оптопара PS2533L-1-F3-A
У поставщика
У поставщиков
3 367 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:2 719 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 52,20 |
Склад 13
В наличии:648 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 43,21 |
| от 30 | 42,16 |
| от 59 | 40,73 |
| от 117 | 38,79 |
| от 234 | 36,66 |
Описание
Оптопара PS2533L-1-F3-A от Renesas — это высоковольтный фотокомпонент в SMD-корпусе с выводами типа «крыло чайки». Устройство обеспечивает гальваническую развязку до 5000 В, работает в диапазоне температур от -55 до +100 °C и имеет типовое время переключения 100 мкс. Применяется в оборудовании телефонных станций, факсах и модемах.
Технические характеристики
| Вывод 1 | anode |
| Вывод 2 | cathode |
| Вывод 3 | emitter |
| Вывод 4 | collector |
| Кол-во выводов | 4 |
| Артикул | PS2533L-1-F3-A |
| Air distance | 7mm |
| Применение | telephone_exchange_equipment, FAX_MODEM |
| Тип упаковки | lead_bending_gull_wing_SMD |
| Тип монтажа | SMD |
| Стиль упаковки | embossed_tape_2000_pcs_per_reel |
| Тип компонента | photocoupler |
| Одобр. безоп. | UL_E72422, CSA_CA101391, BSI_8221_8222, SEMKO_903238, NEMKO_P09210868, DEMKO_314999, FIMKO_FI25119, DIN_EN60747_5_2_VDE0884_Part2_40008862 |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Описание | Transistor Output Optocouplers Optocoupler 4-pin DIP |
| Тип. время спада | 100μs |
| Напр. изоляции | 5000Vr.m.s. |
| Тип. время нарастания | 100μs |
| Макс. раб. темп. | +100°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Isolation thickness | 0.4mm |
| Transistor iceo max | 400nA |
| Transistor vceo max | 350V |
| Transistor veco max | 0.6V |
| Емк. изоляции | 0.6pF |
| Transistor vce sat max | 1.0V |
| Inner creepage distance | 4mm |
| Outer creepage distance | 7mm |
| Сопротивление изоляции мин. | 10^11Ω |
| Diode forward voltage min | 1.15V |
| Diode reverse current max | 5μA |
| Diode reverse voltage max | 6V |
| Ctr measurement conditions | IF=1mA, VCE=2V |
| Коэф. передачи макс. | 6500% |
| Мин. коэфф. передачи тока | 1500% |
| Diode terminal capacitance | 30pF |
| Diode power dissipation max | 150mW |
| Diode forward current dc max | 80mA |
| Diode forward voltage typical | 1.40V |
| Current transfer ratio typical | 4000% |
| Diode peak forward current max | 1A |
| Switching time test conditions | VCC=5V, IC=10mA, RL=100Ω |
| Diode power dissipation derating | 1.5mW/°C |
| Transistor collector current max | 150mA |
| Transistor power dissipation max | 300mW |
| Transistor power dissipation derating | 3.0mW/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?