+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
PS2505L-1-F3-A
Документация

Оптопара PS2505L-1-F3-A

Артикул:97418
У поставщика
ПроизводительRENESAS
КатегорияОптопары
Ед. изм.шт
У поставщиков
14 366 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:12 965 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 134,74
от 11331,26
от 19229,29
от 31827,73
от 53026,59
Склад 13
В наличии:1 401 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
Минимальная партия: 18 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 140,12
от 5336,66
от 10633,82
от 21231,67
от 42430,07
Описание

Оптопара PS2505L-1-F3-A производства Renesas представляет собой оптрон с выходным транзистором. Компонент предназначен для гальванической развязки цепей управления и нагрузки в промышленной электронике, блоках питания и интерфейсных модулях. Отличается высокой надёжностью и стабильностью параметров в широком диапазоне температур.

Технические характеристики
Тип монтажаSMD
Lead span9.60±0.4mm
Шаг выводов2.54mm
Input TypeAC, DC
Ширина вывода0.90±0.25mm
Output TypeTransistor
Длина вывода1.25±0.15mm
Тип упаковкиGull-wing (SMD)
Mounting TypeSurface Mount
Тип. время спада5μs
Тип. время нарастания3μs
Package / Case4-SMD, Gull Wing
ОписаниеOPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Напр. изоляции5000Vr.m.s.
Количество выводов корпуса4
Number of Channels1
Voltage - Isolation5000Vrms
Vce Saturation (Max)300mV
Diode power derating1.5mW/°C
Сопр. изоляции10^11Ω
Operating Temperature-55°C ~ 100°C
Макс. ток коллектора50mA/ch
Емк. изоляции0.5pF
Rise / Fall Time (Typ)3µs, 5µs
Voltage - Output (Max)80V
Supplier Device Package4-SMD
Напр. диода макс.1.4V
Тип. прямое напряжение диода1.17V
Diode reverse current max5mA
Diode reverse voltage max6V
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Transistor power derating1.5mW/°C
Current - Output / Channel50mA
Коэф. передачи макс.600%
Мин. коэфф. передачи тока80%
Current transfer ratio typ300%
Diode peak forward current1A (PW=100μs, duty cycle=1%)
Diode terminal capacitance50pF
Diode power dissipation max150mW
Диап. раб. темп.-55 to +100°C
Transistor dark current max100nA
Current Transfer Ratio (Max)600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min)80% @ 5mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ)1.17V
Diode forward current dc max80mA
Макс. напр. К-Э80V
Макс. Uэк7V
Package dimensions height max5.1mm
Current - DC Forward (If) (Max)80 mA
Collector saturation voltage max0.3V
Transistor power dissipation max150mW
Package dimensions body width max5.6mm
Package dimensions body length max8.3mm

Заметили ошибку в описании или параметрах?