Документация
PS11032, IGBT модуль 0.2кВт 220В 1/3 фаз
У поставщика
ПроизводительMitsubishi
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3 208,50 |
| от 2 | 2 923,52 |
Описание
IGBT модуль PS11032 от Mitsubishi — это интеллектуальный силовой модуль (ASIPM) мощностью 0,2 кВт. Работает от сети 220 В, поддерживает одно- и трёхфазное управление, выдерживает напряжение до 600 В и имеет встроенный драйвер с гальванической развязкой 2500 В. Компактный корпус с 30 выводами для монтажа в отверстия. Применяется в промышленной автоматике, частотных приводах и маломощных преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | Application Specific Intelligent Power Module (ASIPM) |
| Вес | 70g |
| Корпус | Compact module, 30 pins |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | 74.0 x 63.0 x 8.5 mm |
| Артикул | PS11032 |
| Момент затяжки | 13 in-lb |
| Integrated hvics | Да |
| Fault output type | open collector |
| Напр. изоляции | 2500V |
| Dead time external | 2.2µs |
| Input on threshold | 0.8-2.0V |
| Макс. напр. пит. | 450V |
| Switching time ton | 0.3-1.5µs |
| Input off threshold | 2.5-4.0V |
| Темп. хранения | -40 to 125°C |
| Switching time toff | 0-2.5µs |
| Voltage rating igbt | 600V |
| Converter i2t rating | 42 A²s |
| Supply voltage surge | 500V |
| Over current trip level | 4.3-8.0A |
| Short circuit endurance | Да |
| Switching frequency pwm | 1-15kHz |
| Current rating igbt peak | 8A |
| Fault output current max | 15mA |
| Short circuit trip level | 8.0A |
| Under voltage trip level | 11.0-13.0V |
| Control supply voltage vd | 13.5-16.5V |
| Напр. диода макс. | 2.9V |
| Under voltage reset level | 11.5-13.5V |
| Case operating temperature | -20 to 100°C |
| Control supply voltage vdb | 13.5-16.5V |
| Макс.напр.к-э,В | 220 |
| Converter dc output current | 10A |
| Control supply voltage range | -0.5 to 20V |
| Direct connection to dsp cpu | Да |
| Recommended ac input voltage | 220Vrms |
| Current rating igbt continuous | 4A |
| Operating temperature junction | -20 to 125°C |
| Thermal resistance case to fin | 0.074 °C/W |
| Converter surge forward current | 100A |
| Структура модуля | 3-ф.выпр-ль+3ф мост |
| Converter diode forward voltage max | 1.5V |
| Integrated 3 phase converter bridge | Да |
| Защита от перегрева | есть |
| Thermal resistance junction case fwdi | 6.1 °C/W |
| Thermal resistance junction case igbt | 6.1 °C/W |
| Мощность привода, кВт | 0.2 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.9V |
| Converter repetitive peak reverse voltage | 800V |
| Thermal resistance junction case converter diode | 4.8 °C/W |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 4 |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?