Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.8A
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
25 521 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт9,46 ₽
Сумма946,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии25 521 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 198 — 8,28 ₽ (−12%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 946,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 354,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 946,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от Nexperia. Компонент рассчитан на напряжение до 20 В и ток до 2.8 А, что делает его подходящим для коммутации нагрузок и управления питанием в компактных устройствах. Применяется в цепях защиты от переполюсовки и DC/DC-преобразователях.
Технические характеристики
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 68ns |
| Время нарастания | 18ns |
| Технология | Trench MOSFET |
| Описание | 20 V, single P-channel Trench MOSFET |
| Артикул | PMV65XP |
| Код маркировки | %M9 |
| Source current | -1.6A |
| Тип транзистора | P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) |
| Заряд сток-затвор | 1.65nC |
| Вх. емкость | 744pF |
| Полный заряд затвора | 7.7nC |
| Заряд затвор-исток | 1nC |
| Выходная емкость | 65pF |
| Peak drain current | -16A |
| Время задержки включения | 7ns |
| Температура окружающей среды | -55 to 150°C |
| Напряжение затвор-исток | ±12V |
| Темп. хранения | -65 to 150°C |
| Время задержки выключения | 135ns |
| Напряжение сток-исток | -20V |
| Ток утечки затвора | ±100nA |
| Темп. перехода | -55 to 150°C |
| Source drain voltage | -0.8 to -1.2V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | -4.3A |
| Прямая крутизна | 15S |
| Drain current ambient 25c | -2.8A |
| Ток утечки стока, 25 °C | -1µA |
| Drain current ambient 100c | -1.8A |
| Ток утечки стока, 150 °C | -100µA |
| Общая рассеиваемая мощность при 25 °C | 480mW |
| Обратная проходная емкость | 53pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 20V 2.8A |
| Пороговое напряжение затвор-исток | -0.47 to -0.9V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20V |
| Total power dissipation sp 25c | 4165mW |
| Drain source on resistance 1 8v | 87 to 135mΩ |
| Drain source on resistance 2 5v | 67 to 92mΩ |
| Total power dissipation 25c 6cm2 | 833mW |
| Drain source on resistance 4 5v 25c | 58 to 74mΩ |
| Drain source on resistance 4 5v 150c | 82 to 105mΩ |
| Тепловое сопротивление переход-среда, 6 см² | 150K/W |
| Тепловое сопротивление переход-точка пайки | 30K/W |
| Thermal resistance junction ambient standard | 260K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?