Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3,7A 0,49Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
3 634 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт32,56 ₽
Сумма814,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии3 634 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 25 штюрлицам и ИП
от 61 — 29,66 ₽ (−9%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 814,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 486,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
25 шт · Склад 13 · 814,00 ₽
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от NEXPERIA. Выдерживает напряжение до 30 В и ток до 3,7 А при мощности 0,49 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT23. Подходит для коммутации нагрузок и управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-канальный |
| Время спада | 12ns (typ) |
| Время нарастания | 23ns (typ) |
| Технология | Trench MOSFET |
| Ток стока | 4.4A (t≤5s), 3.7A (DC), 2.3A at 100°C |
| Source current | 0.9A |
| Сопротивление затвора | 8.7Ω (typ) |
| Заряд сток-затвор | 1.7nC (typ) |
| Вх. емкость | 635pF (typ) |
| Полный заряд затвора | 7nC typ, 12nC max |
| Заряд затвор-исток | 0.9nC (typ) |
| Выходная емкость | 40pF (typ) |
| Peak drain current | 16A (single pulse, t≤10µs) |
| Время задержки включения | 9ns (typ) |
| Напряжение затвор-исток | -12V to 12V |
| Время задержки выключения | 34ns (typ) |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Ток утечки затвора | 100nA (max) at VGS=12V, -100nA at VGS=-12V |
| Source drain voltage | 0.7V typ, 1.2V max at IS=0.9A |
| Ток утечки стока | 1µA (max) |
| Пороговое напряжение затвора | 0.4V to 0.9V (typ 0.65V) |
| Общая рассеиваемая мощность | 490mW (standard footprint), 1000mW (drain pad 6cm²), 5000mW (Tsp=25°C) |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 10.9S (typ) |
| Диапазон темп. окр. | -55°C to 150°C |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 35pF (typ) |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V (min) |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 36mΩ typ, 44mΩ max at VGS=4.5V, ID=3.7A, Tj=25°C; 62mΩ typ, 75mΩ max at Tj=150°C; 43mΩ typ, 53mΩ max at VGS=2.5V, ID=3.4A; 56mΩ typ, 78mΩ max at VGS=1.8V, ID=0.5A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 217K/W (typ), 255K/W (max) standard footprint; 105K/W (typ), 124K/W (max) drain pad 6cm²; 73K/W (typ), 86K/W (max) t≤5s |
| Тепловое сопротивление переход-точка пайки | 20K/W (typ), 25K/W (max) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?