Документация
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
4 875 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт4,55 ₽
Сумма910,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии4 875 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 415 — 3,82 ₽ (−16%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 910,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 390,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 910,00 ₽
Описание
Биполярный NPN транзистор PMBT5551,215 от NEXPERIA. Выдерживает напряжение до 160 В и ток до 0,3 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN high-voltage transistor |
| Шаг | 1.9mm |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Компонент | PMBT5551,215 |
| Клеммы | 3 |
| Размеры | 2.9mm x 1.3mm x 1mm |
| Код маркировки | %G1 |
| Коэффициент шума | 8dB |
| Ток коллектора | 300mA |
| Пиковый ток базы | 100mA |
| AEC-Q101 | Да |
| Hfe мин. | 80 at Vce=5V, Ic=1mA |
| Ёмкость эмиттера | 30pF |
| Напряжение эмиттер-база | 6V |
| Частота перехода | 100MHz min, 300MHz typ |
| Ёмкость коллектора | 6pF |
| Диапазон коэфф. усиления | 80 to 250 at Vce=5V, Ic=10mA |
| Напряжение коллектор-база | 180V |
| Пиковый ток коллектора | 600mA |
| Общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Dc current gain min 50mA | 30 at Vce=5V, Ic=50mA |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to 150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 160V |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 150°C |
| Ток отсечки эмиттер-база | 50nA at Veb=4V |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 160V 0.3A SOT23 |
| Ток отсечки коллектор-база | 50nA at Vcb=120V, Tj=25°C |
| Макс. Uбэ нас. | 1V at Ic=10mA, Ib=1mA |
| Термосопротивление переход-среда | 500K/W |
| Collector base cutoff current high temp | 50µA at Vcb=120V, Tamb=100°C |
| Base emitter saturation voltage max 50mA | 1V at Ic=50mA, Ib=5mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 150mV at Ic=10mA, Ib=1mA |
| Collector emitter saturation voltage max 50mA | 200mV at Ic=50mA, Ib=5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?