Документация
Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.3 А, 0.25W
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
1 348 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт5,96 ₽
Сумма1 192,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 348 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 336 — 5,39 ₽ (−10%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 192,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 108,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 192,00 ₽
Описание
Биполярный транзистор NPN от Nexperia. Выдерживает напряжение до 140 В и ток до 0,3 А при мощности 0,25 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок и усиления сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Кол-во выводов | 3 |
| Пайка | Solderable per SOT23 reflow/wave soldering footprint |
| Описание | NPN high-voltage transistor |
| Артикул | PMBT5550,215 |
| Производитель | Nexperia |
| Код маркировки | %1F |
| Шаг выводов корпуса | 1.9mm |
| Размеры корпуса | 2.9mm x 1.3mm x 1mm |
| Коэффициент шума (NF) | 10dB |
| Besat 1 condition | IC=10mA; IB=1mA |
| Besat 2 condition | IC=50mA; IB=5mA |
| AEC-Q101 | Да |
| Vcesat 1 condition | IC=10mA; IB=1mA |
| Vcesat 2 condition | IC=50mA; IB=5mA |
| Ток коллектора Ic | 300mA |
| Пиковый ток базы, Ibm | 100mA |
| Emitter capacitance ce | 30pF |
| Условия измерения коэфф. шума | VCE=5V; IC=200uA; RS=2kOhm; 10Hz <= f <= 15700Hz |
| Темп. перехода Tj | 150C |
| Граничная частота ft | 100-300MHz |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Collector capacitance cc | 6pF |
| Диапазон темп. окр. | -65C to 150C |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6V |
| Диап. темп. хр. | -65C to 150C |
| Пиковый ток коллектора | 600mA |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 160V |
| Коэффициент усиления по току hFE мин. при 1 мА | 60 |
| Условия рассеиваемой мощности | Tamb <= 25C |
| Коэффициент усиления по току hFE мин. при 50 мА | 20 |
| Условия теплового сопротивления | free air; FR4 PCB standard footprint |
| Общая рассеиваемая мощность Ptot | 250mW |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 140V 0.3A SOT23 |
| Emitter capacitance condition | VEB=0.5V; IC=0A; f=1MHz |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 140V |
| Диапазон коэффициента усиления по току hFE при 10 мА | 60-250 |
| Условия частоты перехода | VCE=10V; IC=10mA; f=100MHz |
| Условия измерения ёмкости коллектора | VCB=10V; IE=0A; f=1MHz |
| Ток отсечки эмиттер-база IEBO | 50nA |
| Peak collector current condition | single pulse; t <= 1ms |
| Dc current gain hfe condition 1mA | VCE=5V; IC=1mA |
| Обратный ток коллектор-база (ICBO) | 50nA |
| Dc current gain hfe condition 10mA | VCE=5V; IC=10mA; Tj=25C |
| Dc current gain hfe condition 50mA | VCE=5V; IC=50mA; Tj=25C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 500 K/W |
| Emitter base cutoff current condition | VEB=4V; IC=0A |
| Base emitter saturation voltage besat 1 | 1V |
| Base emitter saturation voltage besat 2 | 1.2V |
| Collector base cutoff current condition | VCB=100V; IE=0A; Tj=25C |
| Collector base cutoff current high temp | 50uA |
| Collector emitter saturation voltage vcesat 1 | 150mV |
| Collector emitter saturation voltage vcesat 2 | 250mV |
| Collector base cutoff current high temp condition | VCB=100V; Tamb=100C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?