+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
PMBT4403/T1 SOT-23 транзистор биполярный HotTech (арт. 137180)
Документация

PMBT4403/T1 SOT-23 транзистор биполярный HotTech (арт. 137180)

Артикул:741981
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
У поставщиков
78 000 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 29» — от 3 000,00 ₽. С этой позицией будет 1 440,00 ₽, не хватает 1 560,00 ₽. Добавьте позиций этого склада или выберите другой.
3 000 шт · Склад 29 · 1 440,00 ₽
Описание

PMBT4403/T1 — биполярный PNP-транзистор в миниатюрном корпусе SOT-23 от производителя HotTech. Компонент предназначен для усиления и коммутации сигналов в низковольтных цепях. Благодаря компактному исполнению подходит для плотного монтажа на печатных платах в портативной и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипBipolar Transistor, PNP
Вес0.008g
ТипPNP
Ток, А600 мА
Маркировка2T
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
РазмерыA: 0.900-1.150mm; B: 0.300-0.500mm; C: 0.080-0.150mm; D: 2.800-3.000mm; E: 1.200-1.400mm; L: 0.550мм справочно; A1: 0.000-0.100mm; A2: 0.900-1.050mm; E1: 2.250-2.550mm; L1: 0.300-0.500mm; Theta: 0-8°; E pitch: 0.950mm typ; E1 pitch: 1.800-2.000mm
Время спада60ns
Время нарастания20ns
Материал корпусалитой пластик
Время задержки td15ns
Время хранения, ts225ns
Комплементарный кMMBT4401
Мощность, Вт250
Класс горючестиUL 94V-0
Ток коллектора Ic600mA
Напряжение, В40 В
Граничная частота ft200MHz
Тепловое сопр. Rthja417°C/W
Напряжение эмиттер-база Vebo5V
Диап. темп. хр.-55 to 150°C
Уровень чувствительности к влагеУровень 1
Напряжение коллектор-база Vcbo40V
Коэффициент усиления по току hFE мин. при 1 мА60
Ток отсечки эмиттера Iebo0.1µA
Макс. температура перехода Tj150°C
Dc current gain hfe min 10mA100
Ток отсечки коллектора Icbo0.1µA
Ток отсечки коллектора ICEX0.1µA
Dc current gain hfe min 0 1mA30
Dc current gain hfe min 500mA20
Напряжение пробоя эмиттер-база5V
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo40V
Pк300mW
Dc current gain hfe range 150mA100 to 300
Напряжение пробоя коллектор-база40V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер40V
Base emitter saturation voltage vbesat 150mA0.95V
Base emitter saturation voltage vbesat 500mA1.3V
Collector emitter saturation voltage vcesat 150mA0.4V
Collector emitter saturation voltage vcesat 500mA0.75V
Аналоги
  • PMBT4403

Заметили ошибку в описании или параметрах?