Документация
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.2 А, 0.25 Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
9 996 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт3,61 ₽
Сумма722,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии9 996 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 503 — 3,00 ₽ (−17%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 722,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 578,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 722,00 ₽
Описание
Биполярный NPN-транзистор PMBT3904,215 от Nexperia — компактный и надёжный компонент для коммутации и усиления сигналов. Рассчитан на напряжение до 60 В и ток до 0,2 А при мощности 0,25 Вт. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23, что делает его удобным для поверхностного монтажа в малогабаритных устройствах. Широко применяется в схемах управления, логических каскадах и как ключевой элемент.
Технические характеристики
| Тип | NPN switching transistor |
| Бренд | Nexperia (formerly NXP) |
| Макс. ток коллектора | 200mA |
| Ibm max | 100mA |
| Макс. импульсный ток коллектора | 200mA |
| Маркировка | *1A |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. Ptot | 250mW |
| VCBO макс. | 60V |
| Vceo макс. | 40V |
| Vebo макс. | 6V |
| Применение | General switching and amplification |
| Коэффициент шума | max 5dB at I_C=100µA, V_CE=5V, R_S=1kΩ, f=10Hz-15.7kHz |
| Комплементарный аналог | PMBT3906 |
| Размеры мм | Размах выводов: 2.1-2.5; Ширина корпуса: 1.2-1.4; Шаг выводов: 1.9; Длина корпуса: 2.8-3.0; Высота корпуса макс.: 1.1 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | Values: 10mA/1mA: 650-850mV; 50mA/5mA: max 950mV; Conditions: I_C/I_B |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Values: 10mA/1mA: max 200mV; 50mA/5mA: max 300mV; Conditions: I_C/I_B |
| Коэф. усиления DC | Values: I C=1mA: 80 min; I C=10mA: 100-300; I C=50mA: 60 min; I C=0.1mA: 60 min; I C=100mA: 30 min; Conditions: V_CE=1V |
| Время переключения | Время спада: max 50ns; Время нарастания: max 35ns; Conditions: I_C=10mA, I_Bon=1mA, I_Boff=-1mA; Время задержки: max 35ns; Время хранения: max 200ns |
| Конфиг. выводов | 1: основание; 2: эмиттер; 3: коллектор |
| Ёмкость эмиттера | max 8pF at V_EB=0.5V, f=1MHz |
| Частота перехода | min 300 MHz at I_C=10mA, V_CE=20V |
| Ёмкость коллектора | max 4pF at V_CB=5V, f=1MHz |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, NPN, 60 V, 0.2 A, 0.25 W |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 500 K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?