+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
PDTC144ET,215
Документация

PDTC144ET,215, Биполярный транзистор SOT-23

Артикул:1207013
У поставщика
ПроизводительNEX-NXP
У поставщиков
1 900 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
1 000 шт · Склад 12 · 1 700,00 ₽
Описание

Биполярный транзистор PDTC144ET от NXP в корпусе SOT-23. Это NPN транзистор со встроенными резисторами (RET), рассчитанный на ток до 100 мА и напряжение до 50 В. Модель отличается высокой граничной частотой 230 МГц и мощностью рассеивания 250 мВт. Применяется в промышленной автоматике и бытовой электронике для коммутации сигналов.

Технические характеристики
ТипNPN Resistor-Equipped Transistor (RET)
Макс. R161kΩ
Мин. R133kΩ
R1, тип.47kΩ
Емкость коллектор-коллектор, макс.2.5pF
Тип. fT230MHz
Мин. HFE80
I o max100mA
КорпусSOT23
Температура перехода Tj, макс.150°C
I cm max100mA
Тип монтажаSMD
Макс. общая рассеиваемая мощность250mW
Макс. температура окружающей среды150°C
Мин. температура окружающей среды-65°C
Макс. температура хранения150°C
Мин. температура хранения-65°C
Макс. напряжение коллектор-база50V
Макс. напряжение коллектор-эмиттер50V
Макс. напряжение эмиттер-база10V
V i on min3V
Тепловое сопротивление переход-среда, макс.500 K/W
V i off max0.8V
Код маркировки*08
Макс. напряжение насыщения Vce150mV
КвалификацияAEC-Q101
R2 r1 ratio max1.2
R2 r1 ratio min0.8
R2 r1 ratio typ1
V i max negative-10V
V i max positive40V
Комплементарный PNPPDTA144ET
Условия испытаний C-CVcb=10V, f=1MHz
Условия измерения fTVce=5V, Ic=10mA, f=100MHz
Условия измерения hFEVce=5V, Ic=5mA
V i on test conditionsVce=0.3V, Ic=2mA
V i off test conditionsVce=5V, Ic=100μA
Условия измерения Vce насыщ.Ic=10mA, Ib=0.5mA

Заметили ошибку в описании или параметрах?