+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
PDTC115ET,215
Документация

Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 100 кОм+100 кОм

Артикул:803093
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
У поставщиков
10 814 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:10 814 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 724 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 10,96
от 3650,82
от 4740,72
от 9480,65
от 1 8960,61
Описание

Цифровой биполярный транзистор NPN от Nexperia с интегрированными резисторами 100 кОм. Работает при напряжении до 50 В и токе до 0,1 А, мощность рассеивания — 0,25 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Применяется в промышленной автоматике и бытовой электронике для упрощения схем управления.

Технические характеристики
ТипNPN Resistor-Equipped Transistor
КорпусSOT23
Тип монтажаSMD
РазмерыSOT23 standard
Код маркировки*44
Pnp complementPDTA115ET
Input resistor r1100kOhm
Hfe мин.80
Input on voltage min3V
Resistor ratio r2 r11
Input off voltage max0.5V
Output current dc max20mA
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Напряжение эмиттер-база макс.10V
Макс. темп. перехода150C
Collector capacitance max2.5pF
Диап. темп. хр.-65C to +150C
Напряжение коллектор-база макс.50V
Input voltage negative max-10V
Input voltage positive max40V
Peak collector current max100mA
Макс. общая рассеиваемая мощность250mW
Описание (англ.)TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Макс. напр. К-Э50V
Макс. ток отсечки эмиттер-база50uA
Макс. ток отсечки К-Б100nA
Диапазон темп. окр.-65C to +150C
Collector emitter cutoff current max1uA
Термосопротивление переход-среда500K/W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.150mV

Заметили ошибку в описании или параметрах?