Документация
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
28 817 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:28 817 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 228 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,05 |
| от 964 | 2,52 |
| от 1 927 | 2,09 |
| от 6 000 | 1,79 |
| от 9 000 | 1,61 |
Описание
Цифровой NPN-транзистор NEXPERIA со встроенными резисторами 10 кОм и 47 кОм. Работает при напряжении до 50 В и токе до 0,1 А, мощность рассеивания — 0,25 Вт. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа. Подходит для схем промышленной автоматики и бытовой электроники, где требуется упрощение разводки печатных плат.
Технические характеристики
| R1 | 10kΩ |
| R2 | 47kΩ |
| C c | max 2.5pF |
| F t | 230MHz |
| I o | 100mA |
| T j | 150°C |
| H fe | min 100 |
| I cm | 100mA |
| Pin1 | input (base) |
| Pin2 | GND (emitter) |
| Pin3 | output (collector) |
| Контактов | 3 |
| Тип | NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) |
| I cbo | max 100nA |
| I ceo | max 1µA |
| I ebo | max 150µA |
| P tot | 250mW |
| T amb | -65°C to +150°C |
| T stg | -65°C to +150°C |
| V cbo | 50V |
| V ceo | 50V |
| V ebo | 6V |
| Серия | PDTC114Y |
| V i on | min 1.4V |
| Корпус | SOT23 |
| V cesat | max 100mV |
| V i off | max 0.5V |
| Тип монтажа | SMD |
| R th j a | 500K/W |
| I ceo 150c | max 5µA |
| V i on typ | 0.8V |
| R2 r1 ratio | 4.7 |
| V i off typ | 0.7V |
| Производитель | Nexperia |
| Код маркировки | *27 |
| V i negative | -6V |
| V i positive | +40V |
| C c condition | VCB = 10V; IE = ie = 0A; f = 1MHz |
| F t condition | VCE = 5V; IC = 10mA; f = 100MHz |
| Package jeita | TO-236AB |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| H fe condition | VCE = 5V; IC = 5mA |
| Pnp complement | PDTA114YT |
| I cbo condition | VCB = 50V; IE = 0A |
| I ceo condition | VCE = 30V; IB = 0A |
| I ebo condition | VEB = 5V; IC = 0A |
| P tot condition | Tamb ≤ 25°C |
| Bias resistor R1 | 10kΩ |
| Bias resistor R2 | 47kΩ |
| V i on condition | VCE = 0.3V; IC = 1mA |
| V cesat condition | IC = 5mA; IB = 0.25mA |
| V i off condition | VCE = 5V; IC = 100µA |
| Макс. вых. ток | 100mA |
| Hfe мин. | 100 |
| Bias resistor R2 ratio | 4.7 |
| Peak collector current | 100mA |
| Общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Transition frequency typ | 230MHz |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to +150°C |
| Collector capacitance max | 2.5pF |
| Dc current gain condition | VCE=5V, IC=5mA |
| Bias resistor R1 tolerance | 7kΩ to 13kΩ |
| Input voltage max negative | -6V |
| Input voltage max positive | 40V |
| On state input voltage min | 1.4V |
| On state input voltage typ | 0.8V |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Off state input voltage max | 0.5V |
| Off state input voltage typ | 0.7V |
| Saturation voltage condition | IC=5mA, IB=0.25mA |
| Bias resistor ratio tolerance | 3.7 to 5.7 |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 50V |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 150µA |
| Макс. ток отсечки К-Б | 100nA |
| Collector emitter cutoff current max | 1µA |
| Термосопротивление переход-среда | 500K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 100mV |
Заметили ошибку в описании или параметрах?