Документация
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
21 480 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт5,95 ₽
Сумма1 190,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии21 480 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 822 — 5,20 ₽ (−13%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 190,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 110,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 190,00 ₽
Описание
Цифровой NPN-транзистор от NEXPERIA. Работает при напряжении до 50 В и токе до 0,1 А, мощность рассеивания — 0,25 Вт. Встроенные резисторы 10 кОм упрощают монтаж, корпус SOT-23. Подходит для цепей управления в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Код маркировки | *16 |
| Bias resistor r1 | 10kΩ |
| Макс. вых. ток | 100mA |
| Размеры упаковки | SOT23 (TO-236AB) small |
| Hfe мин. | 30 |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 10V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода, тип. | 230MHz |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to +150°C |
| Bias resistor ratio r2 r1 | 1.0 |
| Емкость коллектора, макс. | 2.5pF |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Bias resistor r1 tolerance | ±30% |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Условия усиления по току DC | V_CE=5V, I_C=5mA |
| Макс. отрицательное входное напряжение | -10V |
| Макс. положительное входное напряжение | 40V |
| On state input voltage min | 2.5V |
| Пиковый ток коллектора, макс. | 100mA |
| Off state input voltage max | 0.8V |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Описание (англ.) | NPN R1=10 KOm; R2=10 KOm |
| Макс. напр. К-Э | 50V |
| Условия частоты переходов | V_CE=5V, I_C=10mA, f=100MHz |
| Условия измерения ёмкости коллектора | V_CB=10V, I_E=0A, f=1MHz |
| On state input voltage conditions | V_CE=0.3V, I_C=10mA |
| Off state input voltage conditions | V_CE=5V, I_C=100µA |
| Bias resistor ratio r2 r1 tolerance | ±20% |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 150mV |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 500K/W |
| Условия измерения Vce(sat) | I_C=10mA, I_B=0.5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?