Транзисторы и сборки биполярные PDTC114ET.215
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
6 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт8,64 ₽
Сумма51,84 ₽
В наличии6 шт
от 6 штюрлицам и ИП
6 шт · Склад 39 · 51,84 ₽
Описание
Транзистор биполярный PDTC114ET.215 от NEXPERIA — компактный цифровой транзистор со встроенным резистором в цепи базы. Такая конструкция упрощает проектирование и сокращает количество внешних компонентов на плате. Применяется в схемах коммутации, управления нагрузкой и в качестве интерфейса между микроконтроллером и исполнительными устройствами.
Технические характеристики
| Макс. мощность | 250 mW |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Описание | TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB |
| Resistors Included | R1 and R2 |
| Резистор базы (R1) | 10 kOhms |
| Частота перехода | 230 MHz |
| Корпус по производителю | TO-236AB |
| Резистор эмиттер-база (R2) | 10 kOhms |
| Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Ток коллектора (Ic), макс. | 100 mA |
| Макс. ток отсечки коллектора | 1µA |
| Коэфф. усиления по току (hFE), мин. при Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, макс. | 50 V |
| Тип | BJT |
Заметили ошибку в описании или параметрах?