Документация
Транзистор PDTC114ET.215
У поставщика
У поставщиков
23 шт.
Цены поставщиков
Склад 7
В наличии:23 шт
Цена по запросуТехнические характеристики
| Тип | NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Применение | digital, automotive, industrial, control of IC inputs, switching loads |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Bias resistor r1 | 10kΩ |
| Макс. вых. ток | 100mA |
| Hfe мин. | 30 |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 10V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to +150°C |
| Collector capacitance max | 2.5pF |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Bias resistor r1 tolerance | 7kΩ to 13kΩ |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Dc current gain conditions | V_CE=5V, I_C=5mA |
| Input voltage negative max | -10V |
| Input voltage positive max | 40V |
| On state input voltage min | 2.5V |
| Peak collector current max | 100mA |
| Off state input voltage max | 0.8V |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Transition frequency typical | 230MHz |
| Макс. напр. К-Э | 50V |
| Bias resistor ratio r2 r1 range | 0.8 to 1.2 |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 400µA |
| Transition frequency conditions | V_CE=5V, I_C=10mA, f=100MHz |
| Collector capacitance conditions | V_CB=10V, f=1MHz |
| Bias resistor ratio r2 r1 typical | 1 |
| Макс. ток отсечки К-Б | 100nA |
| On state input voltage conditions | V_CE=0.3V, I_C=10mA |
| Off state input voltage conditions | V_CE=5V, I_C=100µA |
| Collector emitter cutoff current max | 1µA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 150mV |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 500 K/W |
| Collector emitter cutoff current at 150C max | 5µA |
| Collector emitter saturation voltage conditions | I_C=10mA, I_B=0.5mA |