Документация
Фотодиод PD438B/L1
У поставщика
У поставщиков
1 576 шт.
Норм. уп.: 500
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 20,50 |
| от 20 | 19,93 |
| от 40 | 19,35 |
| от 80 | 18,92 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:1 576 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 20,50 |
| от 20 | 19,93 |
| от 40 | 19,35 |
| от 80 | 18,92 |
Описание
Фотодиод PD438B/L1 от китайского производителя — это инфракрасный светочувствительный элемент. Устройство предназначено для приёма ИК-излучения и работает в стандартном спектральном диапазоне. Применяется в системах дистанционного управления, датчиках освещённости и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | Фотодиоды |
| Size | 4.8x3.8x6.6 mm |
| Тип | Silicon PIN Photodiode |
| Цвет | инфракрасный |
| Id max | 10 nA |
| Il min | 10.2 μA |
| Il typ | 18 μA |
| Bvr min | 32 V |
| Package | Side Look |
| Корпус | Cylindrical side view plastic package |
| Материал | Silicon |
| Тип монтажа | сквозное отверстие |
| Время спада | 10ns typ at V_R=10V, R_L=1kΩ |
| Кол-во выводов | 2 |
| Время нарастания | 10ns typ at V_R=10V, R_L=1kΩ |
| Артикул | PD438B/L1 |
| Dark current | 10nA max at V_R=10V |
| Lens diameter | 4.8mm |
| Rise fall time | 50 / 50 ns |
| Время пайки | ≤5s |
| Peak wavelength | 940 nm |
| Пиковая длина волны | 940nm |
| Dark current max | 30 nA |
| Общая емкость | 6pF typ at V_R=5V, f=1MHz |
| Макс. обратное напряжение | 32V |
| Напряжение хол. хода | 0.41V typ at Ee=5mW/cm², λp=940nm |
| Breakdown voltage min | 32 V |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150mW |
| Reverse light current | 4.0µA typ (min 2.6µA) at V_R=5V, Ee=1mW/cm², λp=940nm |
| Ток КЗ | 4.0µA typ at Ee=1mW/cm², λp=940nm |
| Spectral bandwidth range | 840-1100nm |
| Диап. темп. хр. | -40 to +85°C |
| Температура пайки выводов | 260°C |
| Диап. раб. темп. | -40 to +85°C |
| Reverse breakdown voltage min | 32V |
| Reverse breakdown voltage typ | 170V |