+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Фотодиод PD438B

Артикул:3455
У поставщика
ПроизводительEverlight
КатегорияФотодиоды
Ед. изм.шт
У поставщиков
277 шт.
Норм. уп.: 500
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 3010,99
от 6010,55
от 12010,26
от 20010,04
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:277 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 500
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 3010,99
от 6010,55
от 12010,26
от 20010,04
Описание

Фотодиод PD438B от Everlight — инфракрасный приемник для точного детектирования излучения. Работает в компактном корпусе, обеспечивая быстрый отклик и высокую чувствительность. Применяется в системах дистанционного управления, датчиках освещенности и промышленной автоматике.

Технические характеристики
ТипФотодиоды
Size4.8x3.8x6.6 mm
ТипPIN Photodiode
Цветинфракрасный
Id max30 nA
Il min10.2 μA
Il typ18 μA
Bvr min32 V
PackageSide Look
КорпусCylindrical side view plastic package, epoxy IR filter
МатериалSilicon
Тип монтажаTHT
Без свинцаДа
Цвет линзыЧёрный
АртикулPD438B/L1
Тип упаковкиcylindrical side view
Тип. время спада10ns (at VR=10V, RL=1kΩ)
Тип. время нарастания10ns (at VR=10V, RL=1kΩ)
Rise fall time50 / 50 ns
Соотв. RoHSДа
Peak wavelength940 nm
Пиковая длина волны940nm
Dark current max30 nA
Dark current max10nA (VR=10V)
Dark current typ10nA (at VR=10V)
Количество в упаковке500 pcs/bag, 6 bags/box, 10 boxes/carton
Тип. время спада10ns (VR=10V, RL=1kΩ)
Тип. время нарастания10ns (VR=10V, RL=1kΩ)
Размеры упаковкиSee datasheet (all dimensions in mm, tolerance ±0.25mm)
Спектральная ширина500nm to 1100nm
Макс. обратное напряжение32V
Breakdown voltage min32 V
Макс. рассеиваемая мощность150mW
Total capacitance typ6pF (at VR=5V, f=1MHz)
Open circuit voltage typ0.41V (at 5mW/cm²)
Reverse light current min2.6µA
Reverse light current typ4.0µA (at 1mW/cm², VR=5V)
Short circuit current typ4.0µA (at 1mW/cm²)
Диап. темп. хр.-40°C to +85°C
Total capacitance typical6pF (VR=5V, f=1MHz)
Температура пайки выводов260°C (≤5s)
Диап. раб. темп.-40°C to +85°C
Open circuit voltage typical0.41V (Ee=5mW/cm², λp=940nm)
Reverse breakdown voltage min32V
Reverse breakdown voltage typ170V
Reverse light current typical4.0µA (Ee=1mW/cm², VR=5V, λp=940nm)
Short circuit current typical4.0µA (Ee=1mW/cm², λp=940nm)
Reverse breakdown voltage typical170V (IR=100µA)