+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
PC817X3NSZ9F
Документация

Оптопара PC817X3NSZ9F DIP4

Артикул:98299
У поставщика
ПроизводительSharp
Ед. изм.шт
У поставщиков
9 538 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии3 278 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
продаётся от 100 штпри 100 — 10,41 ₽
50 шт · Склад 39 · 520,50 ₽
Описание

Оптопара Sharp PC817X3NSZ9F в корпусе DIP4 предназначена для гальванической развязки цепей управления и нагрузки. Обеспечивает надёжную передачу сигнала в системах электропитания, бытовой и промышленной электронике. Компонент отличается высокой помехоустойчивостью и стабильной работой в широком диапазоне напряжений.

Технические характеристики
МодельPC817X3NSZ9F
ПримечанияВходная/выходная изоляция: Да; Not designed against radiation: Да; Incorporates non coherent light emitting diode: Да
Типоптопара с транзисторным выходом
КорпусDIP4
Тип монтажаВыводной
СертификатыUl: Номер файла UL: E64380; Approved model no: PC817; Cqc: Approved model no: PC817
СоответствиеRoHS: Compliant with RoHS directive (2002/95/EC); China rohs: Complies with Management Methods for Control of Pollution Caused by Electronic Information Products; Без галогенов: Yes (Chlorine and Bromine <900ppm each, total <1500ppm); Ods materials: Not contain ODS materials (CFCs, Halon, Carbon tetrachloride, 1,1,1-Trichloroethane); Brominated flame retardants: PBB and PBDE not used
РазмерыШирина: 4.6±0.5mm; Высота: 3.5±0.5mm; Длина: 6.5±0.5mm; Шаг выводов: 2.54mm
Покрытие выводовPure Tin plating
ОписаниеPhotocoupler / Optocoupler
НадежностьIsolation voltage test method: Short anode and cathode on primary side and collector and emitter on secondary side; dielectric withstand voltage tester with zero-cross circuit; sine wave applied voltage; recommended in insulation oil
Материал контактаFeAlloy
Масса изделияApprox. 0.23g
Предельные значенияПрямой ток (If): 50mA; Обратное напряжение (Vr): 6V; Ток коллектора Ic: 50mA; Напряжение изоляции: 5kVrms (AC for 1 min, 40 to 60Hz); Peak forward current ifm: 1A; Температура хранения: -55 to +125°C; Input power dissipation p: 70mW; Operating temperature topr: -30 to +100°C; Soldering temperature tsol: 270°C (for 10s); Общая рассеиваемая мощность Ptot: 200mW; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 80V; Pк: 150mW; Emitter collector voltage veco: 6V
Электрооптические характеристикиDark current iceo: Max: 100nA; Min: ; Typ: ; Condition: VCE=50V, IF=0; Прямое напряжение: Max: 1.4V; Min: ; Typ: 1.2V; Condition: IF=20mA; Обратный ток, IR: Max: 10µA; Min: ; Typ: ; Condition: VR=4V; Cut off frequency fc: Max: ; Min: ; Typ: 80kHz; Единица: ; Condition: VCE=5V, IC=2mA, RL=100Ω, -3dB; Response time fall tf: Max: 18µs; Min: ; Typ: 3µs; Condition: VCE=2V, IC=2mA, RL=100Ω; Response time rise tr: Max: 18µs; Min: ; Typ: 4µs; Condition: VCE=2V, IC=2mA, RL=100Ω; Terminal capacitance ct: Max: 250pF; Min: ; Typ: 30pF; Condition: V=0, f=1kHz; Peak forward voltage vfm: Max: 3.0V; Min: ; Typ: ; Condition: IFM=0.5A; Isolation resistance riso: Max: ; Min: 5×10^10; Typ: ; Единица: Ω; Condition: DC500V, 40 to 60%RH; Коэффициент передачи тока (CTR): Max: 20; Min: 10; Ранг: C; Единица: mA; Condition: IF=5mA, VCE=5V, Ta=25°C; Isolation capacitance ciso: Max: 1.0pF; Min: ; Typ: 0.6pF; Condition: V=0, f=1MHz; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce sat): Max: 0.2V; Min: ; Typ: 0.1V; Condition: IF=20mA, IC=1mA

Заметили ошибку в описании или параметрах?