+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Оптрон PC817C (EL817C)-F DIP-4-300-2.54

Артикул:145026
У поставщика
ПроизводительEverlight
КатегорияОптопары
Ед. изм.шт
У поставщиков
8 100 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 29» — от 3 000,00 ₽. С этой позицией будет 313,00 ₽, не хватает 2 687,00 ₽. Добавьте позиций этого склада или выберите другой.
100 шт · Склад 29 · 313,00 ₽
Описание

Оптрон PC817C (EL817C)-F от Everlight — это оптопара с выходным фототранзистором в корпусе DIP-4 с шагом выводов 2.54 мм и расстоянием между рядами 300 мил. Компонент обеспечивает гальваническую развязку между входной и выходной цепями, что необходимо для защиты чувствительных схем от высоких напряжений и помех. Применяется в импульсных блоках питания, интерфейсах управления и цепях обратной связи.

Технические характеристики
Коэффициент передачи тока (CTR)200-400% at IF=5mA, VCE=5V
Типоптопара
ТипОптрон
Ток, А50 мА
Шаг2.54 мм
КорпусDIP-4-300-2.54
Тип монтажаВыводной
Время спада3us typ, 18us max
Без свинцаДа
Шаг выводов2.54mm
Время нарастания4us typ, 18us max
Ширина корпуса7.62mm
Шаг выводов2.54mm
АртикулPC817C (EL817C)
Шаг строк7.62mm
Тёмный ток100nA max at VCE=20V
ПроизводительEverlight Electronics
Макс. время спада18µs
Макс. время нарастания18µs
Кол-во выводов4
Соотв. RoHSДа
Время пайки10s
Прямое напряжение1.2V typ, 1.4V max at 20mA
Обратный ток10uA max at 4V
Обратное напряжение6V
Частота среза80kHz typ at VCE=5V, Ic=2mA, RL=100 ohm
Тип. время спада3µs
Вх. емкость30pF typ, 250pF max
Напр. изоляции5000 В (RMS)
Тип. время нарастания4µs
Условия измерения CTRIF=5mA, VCE=5V
Ширина корпуса9.52mm
Макс. прямой ток50mA
Длина корпуса6.35mm
Темп. хранения-55 to +125°C
Прямой ток50 мА
Плавающая ёмкость0.6pF typ, 1.0pF max
Сопр. изоляции5e10 ohm min, 1e11 ohm typ
Макс. прямой ток1A
Напряжение, В35 В
Макс. ток коллектора50mA
Входная емкость макс.250pF
Раб. температура-55 to +110°C
Температура пайки260°C for 10s
Рассеиваемая мощность входа70mW
Темновой выходной ток, макс.100nA
Общая рассеиваемая мощность200mW
Тип. частота среза80kHz
Макс. паразитная емкость1pF
Сопротивление изоляции мин.5e10Ω
Рассеиваемая мощность150mW
Типовая входная емкость30pF
Вх. ток макс.50mA
Макс. прямое вх. напр.1.4V
Обратный входной ток, макс.10µA
Обр. напр. вх. макс.6V
Температура пайки макс.260°C
Диап. темп. хр.-55 to +125°C
Пиковый прямой входной ток1A
Мощн. коллектора150mW
Диап. раб. темп.-55 to +110°C
Плавающая ёмкость, тип.0.6pF
Макс. ток коллектора50mA
Макс. напр. К-Э35V
Макс. Uэк6V
Прямое входное напряжение, тип.1.2V
Current transfer ratio ctr max400%
Коэффициент передачи тока (CTR), мин.200%
Прямое напряжение1.2 В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер35V min at 0.1mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.1V typ, 0.2V max at IF=20mA, Ic=1mA
Макс. Uкэ35V
Макс. Uэк6V
Обратное напряжение6 В
Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2V
Output collector emitter saturation voltage typical0.1V
Аналоги
  • LTV817-C-IN LITEON
  • CT817C-H CT-micro
  • EL817(C)-F EVERLIGHT
  • CT817C CT-micro
  • H11A817C300 FAIR
  • BL81

Заметили ошибку в описании или параметрах?