Документация
Оптрон PC817C (EL817C)-F DIP-4-300-2.54
У поставщика
У поставщиков
7 700 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:7 700 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 100
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,32 |
Описание
Оптрон PC817C (EL817C)-F от Everlight — это оптопара с выходным фототранзистором в корпусе DIP-4 с шагом выводов 2.54 мм и расстоянием между рядами 300 мил. Компонент обеспечивает гальваническую развязку между входной и выходной цепями, что необходимо для защиты чувствительных схем от высоких напряжений и помех. Применяется в импульсных блоках питания, интерфейсах управления и цепях обратной связи.
Технические характеристики
| Ctr | 200-400% at IF=5mA, VCE=5V |
| Тип | optocoupler |
| Тип | Оптрон |
| Ток | 50 мА |
| Шаг | 2.54 мм |
| Корпус | DIP-4-300-2.54 |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 3us typ, 18us max |
| Без свинца | Да |
| Шаг выводов | 2.54mm |
| Время нарастания | 4us typ, 18us max |
| Ширина корпуса | 7.62mm |
| Шаг выводов | 2.54mm |
| Артикул | PC817C (EL817C) |
| Шаг строк | 7.62mm |
| Dark current | 100nA max at VCE=20V |
| Производитель | Everlight Electronics |
| Корпус | DIP-4 |
| Монтаж | Выводной |
| Макс. время спада | 18µs |
| Макс. время нарастания | 18µs |
| Кол-во выводов | 4 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Время пайки | 10s |
| Прямое напряжение | 1.2V typ, 1.4V max at 20mA |
| Обратный ток | 10uA max at 4V |
| Обратное напряжение | 6V |
| Частота среза | 80kHz typ at VCE=5V, Ic=2mA, RL=100 ohm |
| Тип. время спада | 3µs |
| Вх. емкость | 30pF typ, 250pF max |
| Напр. изоляции | 5000Vrms |
| Тип. время нарастания | 4µs |
| Ctr test condition | IF=5mA, VCE=5V |
| Ширина корпуса | 9.52mm |
| Макс. прямой ток | 50mA |
| Package body length | 6.35mm |
| Темп. хранения | -55 to +125°C |
| Прямой ток | 50 мА |
| Floating capacitance | 0.6pF typ, 1.0pF max |
| Сопр. изоляции | 5e10 ohm min, 1e11 ohm typ |
| Макс. прямой ток | 1A |
| Напряжение | 35 В |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Входная емкость макс. | 250pF |
| Раб. температура | -55 to +110°C |
| Температура пайки | 260°C for 10s |
| Рассеиваемая мощность входа | 70mW |
| Output dark current max | 100nA |
| Общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Cutoff frequency typical | 80kHz |
| Макс. паразитная емкость | 1pF |
| Сопротивление изоляции мин. | 5e10Ω |
| Рассеиваемая мощность | 150mW |
| Типовая входная емкость | 30pF |
| Вх. ток макс. | 50mA |
| Макс. прямое вх. напр. | 1.4V |
| Input reverse current max | 10µA |
| Обр. напр. вх. макс. | 6V |
| Температура пайки макс. | 260°C |
| Диап. темп. хр. | -55 to +125°C |
| Input peak forward current | 1A |
| Мощн. коллектора | 150mW |
| Диап. раб. темп. | -55 to +110°C |
| Floating capacitance typical | 0.6pF |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Макс. напр. К-Э | 35V |
| Макс. Uэк | 6V |
| Input forward voltage typical | 1.2V |
| Current transfer ratio ctr max | 400% |
| Current transfer ratio ctr min | 200% |
| Прямое напряжение | 1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 35V min at 0.1mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1V typ, 0.2V max at IF=20mA, Ic=1mA |
| Макс. Uкэ | 35V |
| Макс. Uэк | 6V |
| Обратное напряжение | 6 В |
| Output collector emitter saturation voltage max | 0.2V |
| Output collector emitter saturation voltage typical | 0.1V |