Документация
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А, 0.3 Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 702 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 702 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 29,87 |
| от 71 | 27,09 |
| от 142 | 24,82 |
| от 283 | 23,09 |
| от 566 | 21,80 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор от Nexperia. Выдерживает напряжение до 100 В и ток до 1 А при мощности 0,3 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок и усилительных каскадов в бытовой и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | PBSS9110T,215 |
| Описание | PNP 100V 1A low VCEsat transistor (BISS) |
| Применение | Automotive 42V power, Telecom infrastructure, Industrial, DC-to-DC conversion, Peripheral drivers, Low supply voltage drivers, Inductive load drivers |
| Код маркировки | *U7 |
| Npn complement | PBSS8110T |
| Base current dc | -300mA |
| Hfe мин. | 150 at VCE=-5V, IC=-1mA; 150 at IC=-250mA; 150-450 at IC=-500mA; 125 at IC=-1A |
| Collector current dc | -1A |
| Collector current peak | -3A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5V |
| Equivalent on resistance | 170mOhm typ, 320mOhm max at IC=-1A, IB=-100mA |
| Макс. темп. перехода | 150C |
| Мин. частота перехода | 100MHz at VCE=-10V, IC=-50mA, f=100MHz |
| Collector capacitance max | 17pF at VCB=-10V, f=1MHz |
| Диап. темп. хр. | -65C to +150C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -120V |
| Emitter base cutoff current | -100nA at VEB=-4V, IC=0 |
| Диап. раб. темп. | -65C to +150C |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 100V 1A SOT23 |
| Ток отсечки коллектор-база | -100nA at VCB=-80V, IE=0; -50uA at Tj=150C |
| Макс. напр. К-Э | -100V |
| Base emitter turn on voltage max | -1V at VCE=-5V, IC=-1A |
| Ток отсечки коллектор-эмиттер | -100nA at VCE=-80V, VBE=0 |
| Макс. Uбэ нас. | -1.1V at IC=-1A, IB=-100mA |
| Power dissipation 1cm2 collector pad | 480mW |
| Power dissipation standard footprint | 300mW |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -120mV at IC=-250mA, IB=-25mA; -180mV at IC=-500mA, IB=-50mA; -320mV at IC=-1A, IB=-100mA |
| Thermal resistance junction ambient 1cm2 collector pad | 260K/W |
| Thermal resistance junction ambient standard footprint | 417K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?