Документация
Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 2 А, 1.2 Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 274 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 274 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 56 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 12,73 |
| от 95 | 12,03 |
| от 189 | 11,18 |
| от 378 | 10,28 |
| от 756 | 9,56 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор от NEXPERIA. Выдерживает напряжение до 20 В и ток до 2 А при мощности 1,2 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок и усиления сигналов в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Цоколевка | 1: base; 2: emitter; 3: collector |
| C c max | 50pF |
| F t min | 100MHz |
| Корпус | SOT23 |
| T j max | 150°C |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | PBSS5320T |
| I cbo max | -100nA |
| I crp max | -3A |
| I ebo max | -100nA |
| P tot max | 300mW |
| Кол-во выводов | 3 |
| V cbo max | -20V |
| V ceo max | -20V |
| V ebo max | -5V |
| Hfe min 1a | 200 |
| Hfe min 2a | 150 |
| Hfe min 3a | 100 |
| I b dc max | -0.5A |
| I c dc max | -2A |
| Описание | PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| R cesat max | 105mΩ |
| R cesat typ | 75mΩ |
| T amb range | -65 to +150°C |
| T stg range | -65 to +150°C |
| V be on min | -1.2V |
| Код маркировки | ZH* |
| Hfe min 100ma | 220 |
| Hfe min 500ma | 220 |
| I cm peak max | -5A |
| R th j a 1cm2 | 260K/W |
| R th j a 6cm2 | 230K/W |
| I cbo max 150c | -50µA |
| P tot max 1cm2 | 480mW |
| P tot max 6cm2 | 540mW |
| R th j a pulsed | 104K/W |
| P tot max pulsed | 1.2W |
| R th j a standard | 417K/W |
| V cesat max 1a 50ma | -130mV |
| V besat max 2a 100ma | -1.1V |
| V besat max 3a 300ma | -1.2V |
| V cesat max 2a 100ma | -230mV |
| V cesat max 2a 200ma | -210mV |
| V cesat max 3a 300ma | -300mV |
| V cesat max 500ma 50ma | -70mV |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | PNP 20V 2A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?