Документация
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А, 0.27Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 075 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 075 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 114 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,10 |
| от 103 | 5,59 |
| от 206 | 5,07 |
| от 412 | 4,54 |
| от 824 | 4,14 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор от Nexperia рассчитан на напряжение до 60 В и ток до 1 А при мощности 0,27 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для ключевых схем и усиления сигналов в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | Bipolar Transistor |
| Шаг | 1.9mm |
| Cc max | 15pF |
| Cc typ | 9pF |
| Ft мин. | 150MHz |
| Ft typ | 220MHz |
| Высота | 1.1mm (max), 0.9mm (min) |
| Ib max | -300mA |
| Макс. ток коллектора | -1A |
| Pd макс. | 270mW |
| Мин. HFE | 100 |
| Hfe typ | 160 |
| Ibm max | -1A |
| Icm max | -2A |
| Маркировка | *U6 |
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Icbo макс. | -100nA |
| Ices max | -100nA |
| Макс. IEBO | -100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| VCBO макс. | -80V |
| Vceo макс. | -60V |
| Vebo макс. | -5V |
| Размах выводов | 2.5mm (max), 2.1mm (min) |
| Ширина корпуса | 1.4mm (max), 1.2mm (min) |
| Ширина вывода | 0.48mm (max), 0.38mm (min) |
| Rcesat max | 330mΩ |
| Rcesat typ | 220mΩ |
| Vbe on max | -0.9V |
| Vbe on typ | -0.82V |
| Vcesat max | -330mV |
| Vcesat typ | -220mV |
| Длина корпуса | 3.0mm (max), 2.8mm (min) |
| Hfe alt min | 150 |
| Hfe alt typ | 250 |
| Pd max alt1 | 400mW |
| Pd max alt2 | 1.25W |
| Vbe нас. макс. | -1.1V |
| Vbe sat typ | -0.95V |
| Cc condition | VCB=-10V, IE=0A, f=1MHz |
| Условия измерения граничной частоты | VCE=-10V, IC=-50mA, f=100MHz |
| Hfe alt2 min | 200 |
| Hfe alt2 typ | 350 |
| Комплементарный аналог | PBSS4160T (NPN) |
| Hfe condition | VCE=-5V, IC=-1A |
| Icbo condition | VCB=-60V, IE=0A |
| Ices condition | VCE=-60V, VBE=0V |
| Iebo condition | VEB=-5V, IC=0A |
| Pd max condition | Tamb=25°C, FR4 PCB standard footprint |
| Rcesat condition | IC=-1A, IB=-100mA |
| Vbe on condition | VCE=-5V, IC=-1A |
| Vcesat condition | IC=-1A, IB=-100mA |
| Hfe alt condition | VCE=-5V, IC=-500mA |
| Vbe sat condition | IC=-1A, IB=-50mA |
| Hfe alt2 condition | VCE=-5V, IC=-1mA |
| Icbo high temp max | -50μA |
| Pd max alt1 condition | Tamb=25°C, FR4 PCB with 1cm² collector pad |
| Pd max alt2 condition | Pulse conditions: duty cycle ≤20%, tp≤10ms |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Icbo high temp condition | VCB=-60V, IE=0A, Tj=150°C |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Макс. раб. темп. | +150°C |
| Мин. раб. темп. | -65°C |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 60V 1A SOT23 |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 465 K/W |
| Thermal resistance junction ambient alt1 | 312 K/W |
| Thermal resistance junction ambient alt2 | 100 K/W |
| Thermal resistance junction ambient condition | FR4 PCB standard footprint |
| Thermal resistance junction ambient alt1 condition | FR4 PCB with 1cm² collector pad |
| Thermal resistance junction ambient alt2 condition | Pulse conditions: duty cycle ≤20%, tp≤10ms |
Заметили ошибку в описании или параметрах?