Документация
Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 0.55W
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
3 000 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 34 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 20,80 |
| от 100 | 18,69 |
| от 200 | 16,94 |
| от 399 | 15,61 |
| от 1 000 | 14,62 |
Описание
Биполярный транзистор NPN от Nexperia. Работает при напряжении до 50 В и токе до 3 А, мощность рассеивания — 0,55 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-89-3. Подходит для схем управления нагрузкой в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| Корпус | SOT-89-3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Код маркировки | S43 |
| Base current max | 0.5A |
| Complementary type | PBSS5350X |
| Hfe мин. | 300 |
| Частота перехода | 100MHz |
| Dc current gain typical | 300-700 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. ток коллектора DC | 3A |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Collector capacitance max | 25pF |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Peak collector current max | 5A |
| Диап. раб. темп. | -65°C to +150°C |
| Equivalent on resistance max | 130mΩ |
| Описание (англ.) | NPN 50V 3A |
| Макс. напр. К-Э | 50V |
| Saturation voltage vcesat max | 370mV |
| Power dissipation ceramic 7cm2 | 1.6W |
| Base emitter turn on voltage min | 1.1V |
| Power dissipation fr4 1cm2 copper | 1W |
| Power dissipation fr4 6cm2 copper | 1.4W |
| Макс. Uбэ нас. | 1.2V |
| Power dissipation fr4 standard footprint | 550mW |
| Thermal resistance junction soldering point | 16 K/W |
| Thermal resistance junction ambient fr4 1cm2 | 125 K/W |
| Thermal resistance junction ambient fr4 6cm2 | 90 K/W |
| Thermal resistance junction ambient ceramic 7cm2 | 80 K/W |
| Thermal resistance junction ambient standard footprint | 225 K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?