Документация
Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
17 288 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:17 288 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 52 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 13,43 |
| от 250 | 12,01 |
| от 499 | 10,87 |
| от 997 | 9,91 |
| от 1 994 | 9,28 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор от NEXPERIA. Выдерживает напряжение до 50 В и ток до 2 А в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок и усилительных схем в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | NPN low VCEsat bipolar transistor |
| Корпус | SOT23 |
| Цоколевка | Base: 1; Emitter: 2; Collector: 3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | PBSS4350T,215 |
| Lead count | 3 |
| Описание | 50V, 3A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| Применение | Power management, Low and medium power DC/DC converters, Supply line switching, Battery chargers, Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO) |
| Код маркировки | ZC* |
| Комплементарный PNP | PBSS5350T |
| Тепл. хар-ки | Тепловое сопротивление переход-среда: 417K/W (standard footprint); 260K/W (1cm2 collector pad); 230K/W (6cm2 collector pad); 104K/W (pulsed) |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Предельные значения | Base current dc: 0.5A; Collector current dc: 2A; Напряжение эмиттер-база: 5V; Напряжение коллектор-база: 50V; Общая рассеиваемая мощность: 300mW (Tamb<=25C, standard footprint); 480mW (Tamb<=25C, 1cm2 collector pad); 540mW (Tamb<=25C, 6cm2 collector pad); 1.2W (Tamb<=25C, pulsed, standard footprint); Макс. темп. перехода: 150C; Напряжение коллектор-эмиттер: 50V; Диап. темп. хр.: -65 to +150C; Single peak collector current: 5A; Repetitive peak collector current: 3A (pulse width <=100ms, duty cycle <=0.25); Диапазон темп. окр.: -65 to +150C |
| Электрические характеристики | Dc current gain hFE: min 300 at IC=100mA, VCE=2V, min 300 at IC=500mA, VCE=2V, min 300 at IC=1A, VCE=2V, min 200 at IC=2A, VCE=2V, min 100 at IC=3A, VCE=2V; Частота перехода: min 100MHz at IC=100mA, VCE=5V, f=100MHz; Collector capacitance: max 25pF at VCB=10V, f=1MHz; Equivalent on resistance: typ 100mOhm, max 130mOhm at IC=2A, IB=200mA; Emitter base cutoff current: max 100nA at VEB=5V, IC=0; Base emitter turn on voltage: min 1.2V at IC=1A, VCE=2V; Ток отсечки коллектор-база: max 100nA at VCB=50V, IE=0; max 50uA at VCB=50V, Tj=150C; Напр. нас. база-эмиттер: max 1.1V at IC=2A, IB=100mA, max 1.2V at IC=3A, IB=300mA; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: max 80mV at IC=500mA, IB=50mA, max 160mV at IC=1A, IB=50mA, max 280mV at IC=2A, IB=100mA, max 260mV at IC=2A, IB=200mA, max 370mV at IC=3A, IB=300mA |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 50V 2A SOT23 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?