Документация
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 80 В, 4 А, 1.9 Вт
У поставщика
ПроизводительNIKO-SEM
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
415 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:415 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 48,93 |
| от 16 | 45,78 |
| от 32 | 42,81 |
| от 64 | 40,62 |
| от 200 | 38,61 |
Описание
Сборка из двух N-канальных полевых транзисторов от NIKO-SEM. Компонент рассчитан на напряжение до 80 В, ток до 4 А и мощность 1,9 Вт, выпускается в компактном корпусе SO-8. Подходит для цепей управления питанием и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 5.0 ns |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 8 |
| Время нарастания | 3.8 ns |
| Описание | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Артикул | P8008HV |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | SO-8 |
| Конфигурация | Dual N-Channel |
| Заряд сток-затвор | 6.8 nC |
| Рассеиваемая мощность | 1.9W (TA=25°C), 1.2W (TA=70°C) |
| Заряд затвор-исток | 2.0 nC |
| Время задержки включения | 6.0 ns |
| Gate resistance max | 1.8 Ω |
| Gate resistance typ | 1.5 Ω |
| Время задержки выключения | 21 ns |
| Avalanche energy max | 26 mJ |
| Макс. темп. вывода | 275°C |
| Avalanche current max | 23A |
| Входная емкость макс. | 1400 pF |
| Тип. входная емкость | 1165 pF |
| Время обратного восстановления | 30 ns |
| Выходная емкость тип. | 104 pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±25V |
| Package body dimensions | 4.8-5.0mm x 3.8-4.0mm (length x width) |
| Заряд обратного восстановления | 40 nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | 4A (TA=25°C), 3A (TA=70°C) |
| Макс. напряжение сток-исток | 80V |
| Gate leakage current max | ±100 nA |
| Pulsed drain current max | 20A |
| Total gate charge at 10v | 29 nC |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Total gate charge at 4 5v | 12 nC |
| Drain source on resistance | 70mΩ typ, 90mΩ max (VGS=4.5V, ID=1A); 60mΩ typ, 80mΩ max (VGS=10V, ID=3A) |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1V |
| Тип. пороговое Uзи | 2V |
| On state drain current min | 20A |
| Forward transconductance typ | 7.5 S |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, 2xN-channel, 80V 4A 1.9W |
| Обр. проходная емкость тип. | 57 pF |
| Source drain forward voltage max | 1.3V |
| Source drain forward voltage typ | 1V |
| Source drain diode pulsed current | 20A |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 80V |
| Zero gate voltage drain current typ | 1 µA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Source drain diode continuous current | 4A |
| Thermal resistance junction to lead typ | 25°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 65°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?